Abstract:
Těžištěm naší práce je statistický model, který popisuje, jak se chovají ionty ve skle.
Model řeší způsob a rychlost pohybu iontu ve skle, poskytuje distribuční křivku iontů na
volných pozicích ve skle, přičemž každá volná pozice je definována energií, kterou musí
iont překonat k tomu, aby ji opustil. Vstupními parametry modelu jsou konkrétní fyzikální
parametry studovaného iontově vodivého skla. Pro nás je tím konkrétním materiálem
ternární chalkogenidové sklo (GeS2)50(Sb2S3)50 dopované stříbrem. Nicméně model je
obecně platný pro iontově vodivé skla. Dle provedené rešerše, se jedná o první přístup,
který poskytuje distribuční křivku iontů na volných pozicích ve skle, a tak dovoluje např.
řešit zásadní otázku: „Jaké množství iontů je ve skle mobilních“?
