| dc.contributor.advisor |
Wágner, Tomáš |
|
| dc.contributor.author |
Fraenkl, Max
|
|
| dc.date.accessioned |
2019-08-15T18:59:34Z |
|
| dc.date.available |
2019-08-15T18:59:34Z |
|
| dc.date.issued |
2019 |
|
| dc.date.submitted |
2019-04-24 |
|
| dc.identifier |
Univerzitní knihovna (archiv). Práce není přístupná. |
cze |
| dc.identifier.uri |
https://hdl.handle.net/10195/73863 |
|
| dc.description.abstract |
Těžištěm naší práce je statistický model, který popisuje, jak se chovají ionty ve skle.
Model řeší způsob a rychlost pohybu iontu ve skle, poskytuje distribuční křivku iontů na
volných pozicích ve skle, přičemž každá volná pozice je definována energií, kterou musí
iont překonat k tomu, aby ji opustil. Vstupními parametry modelu jsou konkrétní fyzikální
parametry studovaného iontově vodivého skla. Pro nás je tím konkrétním materiálem
ternární chalkogenidové sklo (GeS2)50(Sb2S3)50 dopované stříbrem. Nicméně model je
obecně platný pro iontově vodivé skla. Dle provedené rešerše, se jedná o první přístup,
který poskytuje distribuční křivku iontů na volných pozicích ve skle, a tak dovoluje např.
řešit zásadní otázku: „Jaké množství iontů je ve skle mobilních“? |
cze |
| dc.format |
96 s. |
|
| dc.language.iso |
cze |
|
| dc.publisher |
Univerzita Pardubice |
cze |
| dc.rights |
Práce není přístupná. |
cze |
| dc.subject |
iontová vodivost |
cze |
| dc.subject |
impedanční spektroskopie |
cze |
| dc.subject |
Radioactive Tracer Diffusion |
cze |
| dc.subject |
model iontové
vodivosti |
cze |
| dc.subject |
Havenův poměr |
cze |
| dc.subject |
Ramanova spektroskopie |
cze |
| dc.subject |
volný objem |
cze |
| dc.subject |
mikrotvrdost |
cze |
| dc.subject |
chalkogenidová skla |
cze |
| dc.subject |
ionic conductivity |
eng |
| dc.subject |
impedance spectroscopy |
eng |
| dc.subject |
Radioactive Tracer Diffusion |
eng |
| dc.subject |
model of ionic
conductivity |
eng |
| dc.subject |
Haven ratio |
eng |
| dc.subject |
Raman spectroscopy |
eng |
| dc.subject |
free volume |
eng |
| dc.subject |
microhardness |
eng |
| dc.subject |
chalcogenide
glasses |
eng |
| dc.title |
Vliv přídavku stříbra na vlastnosti skla (GeS2)50(Sb2S3)50 & statistický model iontové vodivosti ve skelných materiálech |
cze |
| dc.title.alternative |
How Addition of Silver Influences the (GeS2)50(Sb2S3)50 glass and Model of Ionic Conductivity |
eng |
| dc.type |
disertační práce |
cze |
| dc.contributor.referee |
Míka, Martin |
|
| dc.contributor.referee |
Sedlaříková, Marie |
|
| dc.contributor.referee |
Šubrt, Jan |
|
| dc.date.accepted |
2019-06-19 |
|
| dc.description.abstract-translated |
The aim of our work is a statistical model which describes the behaviour of ions inside the
glass. Model solves the manner and the velocity of ions? motion inside the glass, provides
the ions? distribution curve on vacancies in the glass, while each vacancy is defined by the
energy which has to be exceeded so the ion may leave the vacancy. Input parameters for
the model are specific physical properties of studied ion conducting glass. In our case,
the specific materials are Ag-doped (GeS2)50(Sb2S3)50 chalcogenide glasses. However, the
model is valid for ion conductive glasses in general. To the author?s knowledge, it is the
very first approach which provides the distribution curve of ions on vacancies in the glass
so for instance it enables to solve the very important question of „What number of ions
inside the glass is mobile“? |
eng |
| dc.description.department |
Fakulta chemicko-technologická |
cze |
| dc.thesis.degree-discipline |
Chemie a technologie anorganických materiálů |
cze |
| dc.thesis.degree-name |
Ph.D. |
|
| dc.thesis.degree-grantor |
Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická |
cze |
| dc.identifier.signature |
D39685 |
|
| dc.thesis.degree-program |
Chemie a technologie materiálů |
cze |
| dc.identifier.stag |
38524 |
|
| dc.description.grade |
Dokončená práce s úspěšnou obhajobou |
cze |
