Abstract:
Tato diplomová práce je věnována přípravě a charakterizaci tenkých vrstev systému Ge-Bi-Se, které byly připraveny fyzikální depozicí z plynné fáze metodou co-sputtering. V teoretické části jsou uvedeny charakteristiky tenkých vrstev, mechanizmy jejich růstu, systémy Ge-Bi-Se, rozdělení depozičních technik a přiblížení používaných materiálů.
Experimentální část je věnována charakterizaci připravených vrstev, přičemž každý vzorek obsahuje jiné zastoupení prvků. Tyto vzorky byly měřeny charakterizačními metodami: elipsometrie, mikroskopie atomárních sil, skenovací elektronová mikroskopie s energiově-disperzním rentgenovým analyzátorem, rentgenová difrakční analýza a profilometrie.
