Show simple item record
dc.contributor.advisor |
Bouška, Marek |
|
dc.contributor.author |
Štroblíková, Ilona
|
|
dc.date.accessioned |
2019-06-18T08:51:21Z |
|
dc.date.available |
2019-06-18T08:51:21Z |
|
dc.date.issued |
2019 |
|
dc.date.submitted |
2019-05-10 |
|
dc.identifier |
Univerzitní knihovna (studovna) |
cze |
dc.identifier.uri |
https://hdl.handle.net/10195/73643 |
|
dc.description.abstract |
Tato diplomová práce je věnována přípravě a charakterizaci tenkých vrstev systému Ge-Bi-Se, které byly připraveny fyzikální depozicí z plynné fáze metodou co-sputtering. V teoretické části jsou uvedeny charakteristiky tenkých vrstev, mechanizmy jejich růstu, systémy Ge-Bi-Se, rozdělení depozičních technik a přiblížení používaných materiálů.
Experimentální část je věnována charakterizaci připravených vrstev, přičemž každý vzorek obsahuje jiné zastoupení prvků. Tyto vzorky byly měřeny charakterizačními metodami: elipsometrie, mikroskopie atomárních sil, skenovací elektronová mikroskopie s energiově-disperzním rentgenovým analyzátorem, rentgenová difrakční analýza a profilometrie. |
cze |
dc.format |
62 s. |
|
dc.language.iso |
cze |
|
dc.publisher |
Univerzita Pardubice |
cze |
dc.rights |
bez omezení |
cze |
dc.subject |
tenké vrstvy |
cze |
dc.subject |
systém Ge-Bi-Se |
cze |
dc.subject |
co-sputtering |
cze |
dc.subject |
sputtering |
cze |
dc.subject |
charakterizace tenkých vrstev |
cze |
dc.subject |
thin films |
eng |
dc.subject |
system Ge-Bi-Se |
eng |
dc.subject |
co-sputtering |
eng |
dc.subject |
sputtering |
eng |
dc.subject |
characterization thin films |
eng |
dc.title |
Příprava a charakterizace tenkých vrstev Ge-Bi-Se |
cze |
dc.title.alternative |
Preparation and characterization of Ge-Bi-Se thin films |
eng |
dc.type |
diplomová práce |
cze |
dc.contributor.referee |
Janíček, Petr |
|
dc.date.accepted |
2019-06-05 |
|
dc.description.abstract-translated |
This thesis is devoted to the preparation and characterization of thin films of the Ge-Bi-Se system, which were prepared by Physical Vapour Deposition co-sputtering method. The theoretical part has given characteristics of thin films, mechanism of their growth, Ge-Bi-Se systems, divided deposition techniques and approximation of used materials.
The goal, of experimental parts, is devoted to characterization of prepared thin films, each sample contains different representation of elements. These samples were measured by characterization methods on ellipsometry, atomics force microscopy, scanning electron microscopy with energy-dispersive X-ray analyzer, X-ray diffraction analysis and profilometry. |
eng |
dc.description.department |
Fakulta chemicko-technologická |
cze |
dc.thesis.degree-discipline |
Polygrafie |
cze |
dc.thesis.degree-name |
Ing. |
|
dc.thesis.degree-grantor |
Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická |
cze |
dc.identifier.signature |
D40306 |
|
dc.thesis.degree-program |
Polygrafie |
cze |
dc.description.defence |
prof. Ing. Petr Němec, Ph.D. - Zodpovězte otázka opneneta. Jaká je chyba stanovení chemického složení?
prof. Ing. Petr Kalenda, CSc. - Jak dlouhose dělí depozita tenkých vrstev?
prof. Ing. Michal Veselý, CSc. - Můžete z obrázku 21 odečíst hodnotu indexu lomu pro 500nm? |
cze |
dc.identifier.stag |
38037 |
|
dc.description.grade |
Dokončená práce s úspěšnou obhajobou |
cze |
This item appears in the following Collection(s)
Show simple item record
|
Search DSpace
Browse
-
All of DSpace
-
This Collection
My Account
|