Příprava a charakterizace tenkých vrstev Ge-Bi-Se
Diplomová práceStatus neznámýDatum publikování
2019
Autoři
Vedoucí práce
Oponent
Název časopisu
Název svazku
Vydavatel
Univerzita Pardubice
Abstrakt
Tato diplomová práce je věnována přípravě a charakterizaci tenkých vrstev systému Ge-Bi-Se, které byly připraveny fyzikální depozicí z plynné fáze metodou co-sputtering. V teoretické části jsou uvedeny charakteristiky tenkých vrstev, mechanizmy jejich růstu, systémy Ge-Bi-Se, rozdělení depozičních technik a přiblížení používaných materiálů.
Experimentální část je věnována charakterizaci připravených vrstev, přičemž každý vzorek obsahuje jiné zastoupení prvků. Tyto vzorky byly měřeny charakterizačními metodami: elipsometrie, mikroskopie atomárních sil, skenovací elektronová mikroskopie s energiově-disperzním rentgenovým analyzátorem, rentgenová difrakční analýza a profilometrie.
Rozsah stran
62 s.
ISSN
Trvalý odkaz na tento záznam
Projekt
Zdrojový dokument
Vydavatelská verze
Přístup k e-verzi
bez omezení
Název akce
ISBN
Studijní obor
Polygrafie
Studijní program
Polygrafie
Signatura tištěné verze
D40306
Umístění tištěné verze
Univerzitní knihovna (studovna)
Přístup k tištěné verzi
Klíčová slova
tenké vrstvy, systém Ge-Bi-Se, co-sputtering, sputtering, charakterizace tenkých vrstev, thin films, system Ge-Bi-Se, co-sputtering, sputtering, characterization thin films