Publikace: Molybdenum diselenide thin films grown by atomic layer deposition: An XPS analysis
Článekopen accesspeer-reviewedpreprint| dc.contributor.author | Rodriguez Pereira, Jhonatan | cze |
| dc.contributor.author | Zazpe, Raul | cze |
| dc.contributor.author | Charvot, Jaroslav | cze |
| dc.contributor.author | Bureš, Filip | cze |
| dc.contributor.author | Macák, Jan | cze |
| dc.date.accessioned | 2021-05-15T18:18:22Z | |
| dc.date.available | 2021-05-15T18:18:22Z | |
| dc.date.issued | 2020 | eng |
| dc.description.abstract | Molybdenum diselenide (MoSe2) thin films were deposited on annealed titanium foils by atomic layer deposition using suitable precursors. In this paper, a detailed x-ray photoelectron spectroscopy analysis of the MoSe2 film is presented. Survey spectra, Mo 3d, Se 3d, Mo 3p, Se LMM, Se 3p, C 1s, and Se 4s core level along with the valence band spectra were measured. Quantitative analysis indicates a surface composition of MoSe1.8, suggesting a deficiency of selenium on the surface. | eng |
| dc.description.abstract-translated | Tenké vrstvy selenidu molybdenatého (MoSe2) byly deponovány na vyžíhané titanové fólie pomocí depozice atomárních vrstev s využitím vhodných prekursorů. V článku popisujeme detailní analýzu těchto vrstev pomocí rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS). V přehledovém spektru byly měřeny struktury jader Mo 3d, Se 3d, Mo 3p, Se LMM, Se 3p, C 1s, and Se 4s a také spektra valenčních pásů. Kvantitativní analýza indikovala povrochové složení MoSe1.8, které poukazuje na nedostatečné množství Se v povrchové vrstvě. | cze |
| dc.format | "024006-1"-"024006-8" | eng |
| dc.identifier.doi | 10.1116/6.0000354 | eng |
| dc.identifier.issn | 1055-5269 | eng |
| dc.identifier.obd | 39884895 | eng |
| dc.identifier.scopus | 2-s2.0-85090291834 | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/10195/77052 | |
| dc.identifier.wos | 000564178000001 | eng |
| dc.language.iso | eng | eng |
| dc.peerreviewed | yes | eng |
| dc.publicationstatus | preprint | eng |
| dc.publisher | American Institute of Physics | eng |
| dc.relation.ispartof | Surface Science Spectra, volume 27, issue: 2 | eng |
| dc.relation.publisherversion | https://avs.scitation.org/doi/full/10.1116/6.0000354 | eng |
| dc.rights | bez omezení | cze |
| dc.subject | MoSe2 | eng |
| dc.subject | transition metal dichalcogenides | eng |
| dc.subject | thin films | eng |
| dc.subject | 2D material | eng |
| dc.subject | XPS | eng |
| dc.subject | MoSe2 | cze |
| dc.subject | dichalkogenidy přechodných prvků | cze |
| dc.subject | tenké vrstvy | cze |
| dc.subject | 2D materiály | cze |
| dc.subject | XPS | cze |
| dc.title | Molybdenum diselenide thin films grown by atomic layer deposition: An XPS analysis | eng |
| dc.title.alternative | Tenké vrstvy MoSe2 připravené depozicí atomárních vrstev: XPS analýzy | cze |
| dc.type | Article | eng |
| dspace.entity.type | Publication |
Soubory
Původní svazek
1 - 1 z 1
Načítá se...
- Název:
- MoSe2_thin_films_grown_by_ALD_An_XPS_analysis.pdf
- Velikost:
- 1.64 MB
- Formát:
- Adobe Portable Document Format
- Popis: