Dopovací studie SnSe

Abstract

Primárním cílem této práce bylo vyšetřit chování arsenu a yttria jako dopantů v SnSe, a dále se pokusit zvýšit hodnotu jeho parametru ZT. Arsen byl do matrice zabudován na místo po selenu, yttrium na místo po cínu. U obou ternárních sloučenin pozorujeme pokles elektrické vodivosti oproti nedopovanému materiálu. Díky nárůstu elektrické vodivosti (450-550 K) a poklesu tepelné vodivosti u vzorků dopovaných arsenem došlo k nárůstu ZT parametru těchto vzorků v oboru teplot 450-550 K. U vzorků dopovaných yttriem sice došlo k poklesu tepelné vodivosti, ale ZT parametr nevzrostl. Naopak došlo k jeho poklesu.