Digitální knihovna UPCE přechází na novou verzi. Omluvte prosím případné komplikace. / The UPCE Digital Library is migrating to a new version. We apologize for any inconvenience.

Publikace:
A layered Ge2Sb2Te5 phase change material

Článekopen accesspeer-reviewedpreprint (submitted version)
Zobrazit minimální záznam
dc.contributor.authorZhang, Bo
dc.contributor.authorČičmancová, Veronika
dc.contributor.authorKupcik, Jaroslav
dc.contributor.authorŠlang, Stanislav
dc.contributor.authorRodriguez Pereira, Jhonatan
dc.contributor.authorSvoboda, Roman
dc.contributor.authorKutálek, Petr
dc.contributor.authorWágner, Tomáš
dc.date.accessioned2021-05-15T18:47:43Z
dc.date.available2021-05-15T18:47:43Z
dc.date.issued2020
dc.description.abstractIn this study, a universal Ge2Sb2Te5 phase change material was sputtered to obtain a layered structure. The crystalline phase of this material was prepared by annealing. SEM (scanning electron microscopy) and HRTEM (high-resolution transmission electron microscopy) images give confirmed that the sputtered Ge2Sb2Te5 thin film in crystalline phase has multiple layers. The layers can be exfoliated by acetone. The thicknesses of acetone-exfoliated crystalline and amorphous flakes are approx. 10–60 nm.eng
dc.description.abstract-translatedV této studii byl připraven univerzální materiál Ge2Sb2Te5 s fázový přechodem a vrstevnatou strukturou pomocí metody naprašování.Krystalická fáze materiálu byla připravena pomocí temperace. SEM (skenovací elektronová mikroskopie) a HRTEM (transmisní elektronová mikroskopie s vysokým rozlišením) scany potvrdily, že naprášené vrstvy Ge2Sb2Te5 v krystalické fázi byly tvořeny mnoha vrstvami. Nalezené vrstvy byly úspěšně exfoliovány v acetonu. Tloušťka krystalických a amorfních v acetonu exfoliovaných vrstev byla cca. 10-60nm.cze
dc.formatp. 3351-3358eng
dc.identifier.doi10.1039/c9nr08745a
dc.identifier.issn2040-3364
dc.identifier.obd39885004
dc.identifier.scopus2-s2.0-85079078705
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10195/77359
dc.identifier.wos000516533300046
dc.language.isoeng
dc.peerreviewedyeseng
dc.publicationstatuspreprint (submitted version)eng
dc.relation.ispartofNanoscale, volume 12, issue: 5eng
dc.relation.publisherversionhttps://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2020/NR/C9NR08745A
dc.rightsopen accesseng
dc.subjectchange memoryeng
dc.subjectcrystallizationeng
dc.subjectdynamicseng
dc.subjectmodeleng
dc.subjectpaměticze
dc.subjectkrystalizacecze
dc.subjectdynamikacze
dc.subjectmodelcze
dc.titleA layered Ge2Sb2Te5 phase change materialeng
dc.title.alternativeVrstevnatý materiál s fázovou změnou na bázi Ge2Sb2Te5cze
dc.typeArticleeng
dspace.entity.typePublication

Soubory

Původní svazek

Nyní se zobrazuje 1 - 2 z 2
Náhled
Název:
2D_Ge2Sb2Te5_phase_change_material.pdf
Velikost:
1.2 MB
Formát:
Adobe Portable Document Format
2D_Ge2Sb2Te5_phase_change_material.pdf (1.2 MB)
Náhled
Název:
supplymentary_material.pdf
Velikost:
368.57 KB
Formát:
Adobe Portable Document Format
supplymentary_material.pdf (368.57 KB)

Kolekce

Publikační činnost akademických pracovníků UPCE / UPCE Research Outputs
Publikační činnost akademických pracovníků FChT / FChT Research Outputs