| dc.contributor.advisor |
Wágner, Tomáš |
|
| dc.contributor.author |
Štýbar, Jan
|
|
| dc.date.accessioned |
2022-09-07T13:16:38Z |
|
| dc.date.available |
2022-09-07T13:16:38Z |
|
| dc.date.issued |
2022 |
|
| dc.date.submitted |
2022-06-28 |
|
| dc.identifier.uri |
https://hdl.handle.net/10195/80375 |
|
| dc.description.abstract |
Tato bakalářská práce se zabývá studiem struktury a optoelektrických vlastností
MoS2 ve skelné a krystalické fázi. Pozornost je také věnována možnosti zabudování
deponovaného stříbra do struktury MoS2.
Teoretická část se zabývá možnostmi přípravy a výroby tenkých vrstev chalkogenidů přechodných kovů
se zaměřením na MoS2. Popsány jsou známé vlastnosti dichalkogenidů přechodných kovů, zejména
ty strukturní, optoelektrické a mechanické.
Experimentální část je zaměřena na studium elektrické odporu tenkých vrstev MoS2 v různých fázích
v rozmezí teplot 20 C-300 C a jejich struktury měřených rentgenovou difrakcí.
Byla změřena také optická propustnost za pokojové teploty vzorků MoS2 s i bez napařeného Ag. |
cze |
| dc.format |
74 s. |
|
| dc.language.iso |
cze |
|
| dc.publisher |
Univerzita Pardubice |
cze |
| dc.rights |
Práce bude přístupná od 22.08.2025 |
cze |
| dc.subject |
MoS2 |
cze |
| dc.subject |
chalkogenidy přechodných kovů |
cze |
| dc.subject |
elektrické vlastnosti |
cze |
| dc.subject |
paměťová zařízení |
cze |
| dc.subject |
MoS2 |
eng |
| dc.subject |
transition metal dichalcogenides |
eng |
| dc.subject |
electrical resistance |
eng |
| dc.subject |
memory devices |
eng |
| dc.title |
Vrstevnaté (2D) chalkogenidy |
cze |
| dc.title.alternative |
Layered (2D) chalcogenides |
eng |
| dc.type |
bakalářská práce |
cze |
| dc.date.accepted |
2022-08-22 |
|
| dc.description.abstract-translated |
This bachelor's thesis studies structure and optoelectric properties of MoS2 in amorphous and crystalline phase.
Attention is paid to the prospect of incorporating deposited silver into the structure of MoS2.
Theoretical part deals with possible preparation techniques of thin layers of transition metal dichalcogenides
with focus on MoS2. Described are known properties of transition metal dichalcogenides, in particular the
structural, optoelectric and mechanical ones.
The experimental part is focused primarily on studying electrical resistance of MoS2 thin layers in various phases
in temperature range of 20 C-300 C and their structure measured with x-ray diffraction.
Optical transmittance at room temperature was also measured for MoS2 samples with and without silver deposited. |
eng |
| dc.description.department |
Fakulta chemicko-technologická |
cze |
| dc.thesis.degree-discipline |
Anorganické materiály |
cze |
| dc.thesis.degree-name |
Bc. |
|
| dc.thesis.degree-grantor |
Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická |
cze |
| dc.thesis.degree-program |
Anorganické a polymerní materiály |
cze |
| dc.description.defence |
Student seznámil komisi se svou bakalářskou prací.
Zodpověděl otázky členů komise:
Upřesněte výsledky z elektronového mikroskopu.
Co by náplní Vaší experimentální práce?
Vysvětlete měření plošné elektrické vodivosti.
Jak bylo provedeno kontaktování vzorků při měření elektrické vodivosti? |
cze |
| dc.identifier.stag |
44123 |
|
| dc.description.grade |
Dokončená práce s úspěšnou obhajobou |
cze |
