Vrstevnaté (2D) chalkogenidy
Bakalářská práceStatus neznámýDatum publikování
2022
Autoři
Vedoucí práce
Oponent
Název časopisu
Název svazku
Vydavatel
Univerzita Pardubice
Abstrakt
Tato bakalářská práce se zabývá studiem struktury a optoelektrických vlastností
MoS2 ve skelné a krystalické fázi. Pozornost je také věnována možnosti zabudování
deponovaného stříbra do struktury MoS2.
Teoretická část se zabývá možnostmi přípravy a výroby tenkých vrstev chalkogenidů přechodných kovů
se zaměřením na MoS2. Popsány jsou známé vlastnosti dichalkogenidů přechodných kovů, zejména
ty strukturní, optoelektrické a mechanické.
Experimentální část je zaměřena na studium elektrické odporu tenkých vrstev MoS2 v různých fázích
v rozmezí teplot 20 C-300 C a jejich struktury měřených rentgenovou difrakcí.
Byla změřena také optická propustnost za pokojové teploty vzorků MoS2 s i bez napařeného Ag.
Rozsah stran
74 s.
ISSN
Trvalý odkaz na tento záznam
Projekt
Zdrojový dokument
Vydavatelská verze
Přístup k e-verzi
Práce bude přístupná od 22.08.2025
Název akce
ISBN
Studijní obor
Anorganické materiály
Studijní program
Anorganické a polymerní materiály
Signatura tištěné verze
Umístění tištěné verze
Přístup k tištěné verzi
Klíčová slova
MoS2, chalkogenidy přechodných kovů, elektrické vlastnosti, paměťová zařízení, MoS2, transition metal dichalcogenides, electrical resistance, memory devices