Show simple item record
dc.contributor.author |
Zhang, Bo
|
|
dc.contributor.author |
Čičmancová, Veronika
|
|
dc.contributor.author |
Kupcik, Jaroslav
|
|
dc.contributor.author |
Šlang, Stanislav
|
|
dc.contributor.author |
Rodriguez Pereira, Jhonatan
|
|
dc.contributor.author |
Svoboda, Roman
|
|
dc.contributor.author |
Kutálek, Petr
|
|
dc.contributor.author |
Wágner, Tomáš
|
|
dc.date.accessioned |
2021-05-15T18:47:43Z |
|
dc.date.available |
2021-05-15T18:47:43Z |
|
dc.date.issued |
2020 |
|
dc.identifier.issn |
2040-3364 |
|
dc.identifier.uri |
https://hdl.handle.net/10195/77359 |
|
dc.description.abstract |
In this study, a universal Ge2Sb2Te5 phase change material was sputtered to obtain a layered structure. The crystalline phase of this material was prepared by annealing. SEM (scanning electron microscopy) and HRTEM (high-resolution transmission electron microscopy) images give confirmed that the sputtered Ge2Sb2Te5 thin film in crystalline phase has multiple layers. The layers can be exfoliated by acetone. The thicknesses of acetone-exfoliated crystalline and amorphous flakes are approx. 10–60 nm. |
eng |
dc.format |
p. 3351-3358 |
eng |
dc.language.iso |
eng |
|
dc.relation.ispartof |
Nanoscale, volume 12, issue: 5 |
eng |
dc.rights |
open access |
eng |
dc.subject |
change memory |
eng |
dc.subject |
crystallization |
eng |
dc.subject |
dynamics |
eng |
dc.subject |
model |
eng |
dc.subject |
paměti |
cze |
dc.subject |
krystalizace |
cze |
dc.subject |
dynamika |
cze |
dc.subject |
model |
cze |
dc.title |
A layered Ge2Sb2Te5 phase change material |
eng |
dc.title.alternative |
Vrstevnatý materiál s fázovou změnou na bázi Ge2Sb2Te5 |
cze |
dc.type |
article |
eng |
dc.description.abstract-translated |
V této studii byl připraven univerzální materiál Ge2Sb2Te5 s fázový přechodem a vrstevnatou strukturou pomocí metody naprašování.Krystalická fáze materiálu byla připravena pomocí temperace. SEM (skenovací elektronová mikroskopie) a HRTEM (transmisní elektronová mikroskopie s vysokým rozlišením) scany potvrdily, že naprášené vrstvy Ge2Sb2Te5 v krystalické fázi byly tvořeny mnoha vrstvami. Nalezené vrstvy byly úspěšně exfoliovány v acetonu. Tloušťka krystalických a amorfních v acetonu exfoliovaných vrstev byla cca. 10-60nm. |
cze |
dc.peerreviewed |
yes |
eng |
dc.publicationstatus |
preprint (submitted version) |
eng |
dc.identifier.doi |
10.1039/c9nr08745a |
|
dc.relation.publisherversion |
https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2020/NR/C9NR08745A |
|
dc.identifier.wos |
000516533300046 |
|
dc.identifier.scopus |
2-s2.0-85079078705 |
|
dc.identifier.obd |
39885004 |
|
This item appears in the following Collection(s)
Show simple item record
|
Search DSpace
Browse
-
All of DSpace
-
This Collection
My Account
|