A layered Ge2Sb2Te5 phase change material
Článekpeer-reviewedpreprint (submitted version)Datum publikování
2020
Vedoucí práce
Oponent
Název časopisu
Název svazku
Vydavatel
Abstrakt
In this study, a universal Ge2Sb2Te5 phase change material was sputtered to obtain a layered structure. The crystalline phase of this material was prepared by annealing. SEM (scanning electron microscopy) and HRTEM (high-resolution transmission electron microscopy) images give confirmed that the sputtered Ge2Sb2Te5 thin film in crystalline phase has multiple layers. The layers can be exfoliated by acetone. The thicknesses of acetone-exfoliated crystalline and amorphous flakes are approx. 10–60 nm.
Rozsah stran
p. 3351-3358
ISSN
2040-3364
Trvalý odkaz na tento záznam
Projekt
Zdrojový dokument
Nanoscale, volume 12, issue: 5
Vydavatelská verze
https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2020/NR/C9NR08745A
Přístup k e-verzi
open access
Název akce
ISBN
Studijní obor
Studijní program
Signatura tištěné verze
Umístění tištěné verze
Přístup k tištěné verzi
Klíčová slova
change memory, crystallization, dynamics, model, paměti, krystalizace, dynamika, model