Digitální knihovnaUPCE
 

Preferred location for conducting filament formation in thin-film nano-ionic electrolyte: study of microstructure by atom-probe tomography

Článekpeer-reviewedpreprint
Náhled není k dispozici

Datum publikování

2017

Vedoucí práce

Oponent

Název časopisu

Název svazku

Vydavatel

Springer

Abstrakt

Atom-probe tomography of Ag-photodoped amorphous thin-film Ge40S60, the material of interest in nano-ionic memory and lateral geometry MEMS technologies, reveals regions with two distinct compositions on a nanometer length-scale. One type of region is Ag-rich and of a size typically extending beyond the measured sample volume of similar to 40 x 40 x 80 nm(3). These type-I regions contain aligned nanocolumns, similar to 5 nm wide, that are the likely location for reversible diffusion of Ag+ ions and associated growth/dissolution of conducting filaments. The nanocolumns become relatively Ag-rich during the photodoping, and the pattern of Ag enrichment originates from the columnar-porous structure of the as-deposited film that is to some extent preserved in the electrolyte after photodoping. Type-II regions have lower Ag content, are typically 10-20 nm across, and appear to conform to the usual description of the photoreaction products of the optically-induced dissolution and diffusion of silver in a thin-film chalcogenide. The microstructure, with two types of region and aligned nanocolumns, is present in the electrolyte after photodoping without any applied bias, and is important for understanding switching mechanisms, and writing and erasing cycles, in programmable-metallization-cell memory.

Rozsah stran

p. 6846-6851

ISSN

0957-4522

Trvalý odkaz na tento záznam

Projekt

LH14059/Elektrochemické metalizační cely - nanoúrovňové paměti v tenkých vrstvách amorfních chalkogenidů

Zdrojový dokument

Journal of Materials Science: Materials in Electronics, volume 28, issue: 9

Vydavatelská verze

Přístup k e-verzi

Práce není přístupná

Název akce

ISBN

Studijní obor

Studijní program

Signatura tištěné verze

Umístění tištěné verze

Přístup k tištěné verzi

Klíčová slova

phase-separation, structural-properties, chalcogenide glasses, memory cells, ag, silver, dissolution, photodiffusion, diffusion, products, fázová separace, strukturní vlastnosti, chalkogenidová skla, paměťové cely, Ag, stříbro, rozpouštění, fotodifúze, difúze, produkty

Endorsement

Review

item.page.supplemented

item.page.referenced