Investigation of Bi2Te3-Bi2Te3-xSx structures by photovoltage measurements
ČlánekOtevřený přístuppeer-reviewedpublishedDatum publikování
2002
Vedoucí práce
Oponent
Název časopisu
Název svazku
Vydavatel
Univerzita Pardubice
Abstrakt
The single-crystal structure of Bi2Te3 -Bi2Te3-xSx with a p-n junction was prepared by the heat treatment of p -Bi2Te3 in sulphur vapors.This structure was characterized by the measurement of the photovoltaic effect. The dependence of the photovoltage at 77 K on the wavelenght shows two speaks at 2.8 um (=0.44 eV) and at 1.9 um (=0.65 eV). The higher peak at 2.8 um (=0.44 eV) corresponds to the bandgap (Eg = 0.43 eV) of Bi8Te7S5. It is created probably by the electric field on the p-n junction at the interface of n -Bi8Te7S5 and deeper lying p -Bi2Te3-xSx with x0.15.
Rozsah stran
p. 71-76
ISSN
1211-5541
Trvalý odkaz na tento záznam
Projekt
Zdrojový dokument
Scientific papers of the University of Pardubice. Series A, Faculty of Chemical technology. 7 (2001)
Vydavatelská verze
Přístup k e-verzi
open access
Název akce
ISBN
Studijní obor
Studijní program
Signatura tištěné verze
47333
Umístění tištěné verze
Univerzitní knihovna (studovna)
Přístup k tištěné verzi
Klíčová slova
směsné telluridy, struktura, fotonapětí, Měření, Detekce