Digitální knihovnaUPCE
 

Investigation of Bi2Te3-Bi2Te3-xSx structures by photovoltage measurements

ČlánekOtevřený přístuppeer-reviewedpublished
Náhled

Datum publikování

2002

Vedoucí práce

Oponent

Název časopisu

Název svazku

Vydavatel

Univerzita Pardubice

Abstrakt

The single-crystal structure of Bi2Te3 -Bi2Te3-xSx with a p-n junction was prepared by the heat treatment of p -Bi2Te3 in sulphur vapors.This structure was characterized by the measurement of the photovoltaic effect. The dependence of the photovoltage at 77 K on the wavelenght shows two speaks at 2.8 um (=0.44 eV) and at 1.9 um (=0.65 eV). The higher peak at 2.8 um (=0.44 eV) corresponds to the bandgap (Eg = 0.43 eV) of Bi8Te7S5. It is created probably by the electric field on the p-n junction at the interface of n -Bi8Te7S5 and deeper lying p -Bi2Te3-xSx with x0.15.

Rozsah stran

p. 71-76

ISSN

1211-5541

Trvalý odkaz na tento záznam

Projekt

Zdrojový dokument

Scientific papers of the University of Pardubice. Series A, Faculty of Chemical technology. 7 (2001)

Vydavatelská verze

Přístup k e-verzi

open access

Název akce

ISBN

Studijní obor

Studijní program

Signatura tištěné verze

47333

Umístění tištěné verze

Univerzitní knihovna (studovna)

Přístup k tištěné verzi

Klíčová slova

směsné telluridy, struktura, fotonapětí, Měření, Detekce

Endorsement

Review

item.page.supplemented

item.page.referenced