Digitální knihovna UPCE přechází na novou verzi. Omluvte prosím případné komplikace. / The UPCE Digital Library is migrating to a new version. We apologize for any inconvenience.

Publikace:
Příprava tenkých vrstev (oxy)chalkogenidů na bázi (GeS2)80(Ga2S3)20-x(Sb2S3)x metodou rotačního nanášení

Bakalářská práceopen access
Zobrazit minimální záznam
dc.contributor.advisorStřižík, Lukáš
dc.contributor.authorHalík, Tomáš
dc.date.accepted2018-08-20
dc.date.accessioned2018-08-30T07:44:34Z
dc.date.available2018-08-30T07:44:34Z
dc.date.issued2018
dc.date.submitted2018-07-04
dc.description.abstractBakalářská práce se zabývá studiem přípravy tenkých vrstev (oxy)chalkogenidů (GeS2)80(Ga2S3)20-x(Sb2S3)x, kde x = 0-20 mol. %, metodou rotačního nanášení z příslušných roztoků. Na začátku práce byla pozornost věnována přípravě a optimalizaci chalkogenidových roztoků s použitím rozpouštědla monohydrátu hydrazinu. Z těchto roztoků byly připraveny tenké vrstvy výše uvedených oxy(chalkogenidů) metodou rotačního nanášení. Tenké vrstvy byly stabilizovány temperací a charakterizovány různými technikami. Práce přináší nové poznatky o přípravě (oxy)chalkogenidových tenkých vrstev Ga-Ge-Sb-S(-O) z roztoků, což rozšiřuje jejich aplikační potenciál pro flexibilní a tištěnou fotoniku a optoelektroniku.cze
dc.description.abstract-translatedBachelor thesis deals with study and solution-based preparation of the (GeS2)80(Ga2S3)20-x(Sb2S3)x, where x = 0-20 mol.%, (oxy)chalcogenide thin films by the spincoating technique. At the beginnig of the work, the attention has been paid to prepration and optimization of chalcogenide solutions utilizing the hydrazine hydrate solvent. The solutions have been used for deposition of above mentioned (oxy)chalcogenide thin films by spincoating technique. Thin films were stabilized by annealing and characterized by variety of techniques. The present work brings new findings to solution-based preparation of Ga-Ge-Sb-S(-O) (oxy)chalcogenide thin films which broads their applicability in flexible and printed photonics and optoelectronics.eng
dc.description.defencePosluchač seznámil komisi se svojí bakalářskou prací. Dále reagoval na připomínky a zodpověděl otázky členů komise: Diskutujte přesnost hodnot indexu lomu. Diskutujte barevné změny studovaných skel. Byla stanovena optická šířka zakázaného pásu?cze
dc.description.departmentFakulta chemicko-technologickácze
dc.description.gradeDokončená práce s úspěšnou obhajoboucze
dc.format56 s.
dc.identifierUniverzitní knihovna (studovna)cze
dc.identifier.signatureD38440
dc.identifier.stag35695
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10195/71764
dc.language.isocze
dc.publisherUniverzita Pardubicecze
dc.rightsbez omezenícze
dc.subjectchalkogenidová sklacze
dc.subjectchalcogenide glasseseng
dc.subjecttenká vrstvacze
dc.subjectrotační nanášení
dc.subjecthydrazincze
dc.subjectGa-Ge-Sb-S
dc.subjectGe-Ga-S
dc.subjectGe-Sb-S
dc.subjectthin filmeng
dc.subjectspincoatingeng
dc.subjecthydrazineeng
dc.thesis.degree-disciplineChemie a technická chemiecze
dc.thesis.degree-grantorUniverzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologickácze
dc.thesis.degree-nameBc.
dc.thesis.degree-programChemie a technická chemiecze
dc.titlePříprava tenkých vrstev (oxy)chalkogenidů na bázi (GeS2)80(Ga2S3)20-x(Sb2S3)x metodou rotačního nanášenícze
dc.title.alternativePreparation of the (GeS2)80(Ga2S3)20-x(Sb2S3)x-based (oxy)chalcogenide thin films by the spin coating techniqueeng
dc.typebakalářská prácecze
dspace.entity.typePublication

Soubory

Původní svazek

Nyní se zobrazuje 1 - 2 z 2
Náhled
Název:
HalikT_PripravaTenkych_LS_2018.pdf
Velikost:
2.86 MB
Formát:
Adobe Portable Document Format
Popis:
Plný text práce
Plný text práce (2.86 MB)
Náhled
Název:
StrizikL_PripravaTenkych_TH_2018.pdf
Velikost:
873.84 KB
Formát:
Adobe Portable Document Format
Popis:
Posudek vedoucího práce
Posudek vedoucího práce (873.84 KB)

Kolekce

Bakalářské práce / Bachelor's works KOANCH FCHT (Bc.)
Vysokoškolské kvalifikační práce / Theses, dissertations, etc.