Příprava tenkých vrstev (oxy)chalkogenidů na bázi (GeS2)80(Ga2S3)20-x(Sb2S3)x metodou rotačního nanášení

Abstract

Bakalářská práce se zabývá studiem přípravy tenkých vrstev (oxy)chalkogenidů (GeS2)80(Ga2S3)20-x(Sb2S3)x, kde x = 0-20 mol. %, metodou rotačního nanášení z příslušných roztoků. Na začátku práce byla pozornost věnována přípravě a optimalizaci chalkogenidových roztoků s použitím rozpouštědla monohydrátu hydrazinu. Z těchto roztoků byly připraveny tenké vrstvy výše uvedených oxy(chalkogenidů) metodou rotačního nanášení. Tenké vrstvy byly stabilizovány temperací a charakterizovány různými technikami. Práce přináší nové poznatky o přípravě (oxy)chalkogenidových tenkých vrstev Ga-Ge-Sb-S(-O) z roztoků, což rozšiřuje jejich aplikační potenciál pro flexibilní a tištěnou fotoniku a optoelektroniku.