Odporové spínání v tenkých vrstvách chalkogenidů

Zhang, Bo

Publikace:
Odporové spínání v tenkých vrstvách chalkogenidů

Disertační práceopen access

dc.contributor.author	Zhang, Bo
dc.contributor.referee	Míka, Martin
dc.contributor.referee	Navrátil, Jiří
dc.contributor.referee	Vlček, Miroslav
dc.date.accepted	2017-09-07
dc.date.accessioned	2017-09-19T08:24:41Z
dc.date.available	2017-09-19T08:24:41Z
dc.date.issued	2017
dc.date.submitted	2017-07-12
dc.description.abstract	Technologie resistivního přepínání paměti slibuje budoucnost, které nahradí tradiční paměť typu "flash-disku" nebo diskové paměti. Tenká vrstva chalkogenidu, dopovaného Ag nebo Cu, je typickým elektrolytem a vysoký a nízky odpor se upravují v důsledku tvorby a rozpouštění vodivého vlákna. Přesněji řečeno, AsS2 a GeSe2 byly vybrány jako elektrolyt a Ag bylo dopovaná v elektrolytické vrstvě "foto-dopingem" a rozpouštěním z horní nebo spodní vrstvy kovu do elektrolytu. Navíc geometrie paměťových cel ovlivňuje také parametry odporového spínání.	cze
dc.description.abstract-translated	Resistive switching memory technology shows promising future to replace the traditional flash-disc or disk memory. Ag or Cu doped chalcogenide thin layer is typical electrolyte and the high and the low resistance is adjusted due to the formation and dissolution of conductive filament. More specifically, AsS2 and GeSe2 were selected as electrolyte and Ag was doped in the electrolyte layer by photo doping and dissolution from the top or bottom of electrolyte layer. In addition, the geometries of device also influence the parameters of resistive switching behaviour.	eng
dc.description.defence	Zasedání zahájil předseda zkušební komise pro obhajobu disertační práce prof. Ing. Ladislav Koudelka, DrSc. a konstatoval, že oponent disertační práce Doc. Ing. Martin Míka, Dr. se omluvil z jednání komise. Konstatoval přitom, že zbývající dva oponenti jsou jednání přítomni a nepřítomný oponent podal kladný posudek a doporučuje přijetí práce k obhajobě. Následně navrhnul dle Studijního a zkušebního řádu Univerzity Pardubice hlasování o tom, zda členové komise souhlasí za těchto podmínek s obhajobou. Komise jednomyslným hlasováním rozhodla o konání obhajoby i za nepřítomnosti jednoho z oponentů. Dále pak představil členům komise Mgr. Bo Zhanga ze studijního směru 2808V003 "Chemie a technologie anorganických materiálů", který předložil k obhajobě disertační práci s názvem: "Resistive switching with chalcogenide thin film" a seznámil členy komise s doporučením školitele prof. ing. Tomáše Wágnera, DrSc. a stanoviskem vedoucího školicího pracoviště k předložené práci. Následně pak doktorand seznámil komisi s předmětem a výsledky své disertační práce. Celá obhajoba byla vedena v jazyce anglickém. Po referátu doktoranda následovalo projednání oponentských posudků. Všichni tři oponenti postupně přečetli své posudky a následně doktorand zodpověděl jejich dotazy a diskutoval jejich připomínky. V diskusi po projednání oponentských posudků byla pozornost zaměřena na vhodnost chalkogenidových skel či oxidových skel pro konstrukci studovaných pamětí. Dále pak byla diskutována rovněž problematika možných rozdílů mezi složením výchozích skel a napařených tenkých vrstev. Diskutována byla též otázka perspektivní konstrukce spínacích prvků. Po skončení veřejné rozpravy proběhlo neveřejné zasedání komise, na kterém došlo po debatě k hlasování. Z přítomných 7 členů komise se 7 vyjádřilo pro výsledek obhajoby "splněno" a udělení vědecké hodnosti doktor (Ph.D.) Mgr. Bo.Zhang. Předseda komise poté seznámil doktoranda s výsledkem hlasování komise, poděkoval členům komise i oponentům za jejich účast na obhajobě a ukončil jednání komise. Souvislost mezi výsledky uvedenými v disertační práci a předkládanými publikacemi: Obě dvě přiložené publikace doktoranda souvisí s předloženou disertační prací. Vyjádření komise k podílu studenta na předkládaných publikacích: Podíl doktoranda na uvedených publikacích je nepochybný.	cze
dc.description.department	Fakulta chemicko-technologická	cze
dc.description.grade	Dokončená práce s úspěšnou obhajobou	cze
dc.format	76 s.
dc.identifier	Univerzitní knihovna (studovna)	cze
dc.identifier.signature	D36784
dc.identifier.stag	34229
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10195/69351
dc.language.iso	eng
dc.publisher	Univerzita Pardubice	cze
dc.rights	bez omezení	cze
dc.subject	odporové spínání	cze
dc.subject	tenké vrsty chalkogenidů	cze
dc.subject	vodivé vlákno	cze
dc.subject	resistive switching	eng
dc.subject	chalcogenide thin layer	eng
dc.subject	conductive filament	eng
dc.thesis.degree-discipline	Chemistry and Technology of Inorganic Materials	cze
dc.thesis.degree-grantor	Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická	cze
dc.thesis.degree-name	Ph.D.
dc.thesis.degree-program	Chemistry and Technology of Materials	cze
dc.title	Odporové spínání v tenkých vrstvách chalkogenidů	cze
dc.title.alternative	Resistive switching with chalcogenide thin layer	eng
dc.type	disertační práce	cze
dspace.entity.type	Publication