Digitální knihovna UPCE přechází na novou verzi. Omluvte prosím případné komplikace. / The UPCE Digital Library is migrating to a new version. We apologize for any inconvenience.

Publikace:
Influence of 2D CuxAl(100-x) electrodes on the CuxAl(100-x)/Cu21(SiO2)79/W memristive device

Článekopen accesspreprint
Zobrazit minimální záznam
dc.contributor.authorGu, Bincze
dc.contributor.authorWen, Guangyucze
dc.contributor.authorZhang, Bocze
dc.contributor.authorRodriguez Pereira, Jhonatancze
dc.contributor.authorWágner, Tomášcze
dc.date.accessioned2025-10-07T10:22:21Z
dc.date.issued2024
dc.description.abstractIn recent years, 2D metal nanomaterials have emerged as a novel class of 2D materials owing to their unique physiochemical properties. In this paper, memristive devices (Al-x((100-x))(BE)/Cu-21(SiO2)(79)/W(TE)) were fabricated utilizing 2D CuxAl(100-x) mate-rials with different compositions as electrodes. After exfoliation by sonication, the minimum thickness of the freestanding single layer of 2D CuxAl(100-x) was only 1.5 nm. Furthermore, the distribution of SET thresholds was determined by the composition of the 2D CuxAl(100-x) materials. The results suggest that the SET and RESET thresholds can be adjusted according to the composition of the 2D CuxAl(100-x) materials. The application of 2D metals as electrodes is promising for miniature memristive deviceseng
dc.description.abstract-translatedV posledních letech se 2D kovové nanomateriály objevily jako nová třída 2D materiálů díky svým jedinečným fyzikálně-chemickým vlastnostem. V tomto článku byla vyrobena memristivní zařízení (Al-x((100-x))(BE)/Cu-21(SiO2)(79)/W(TE)) využívající jako elektrody 2D matriály CuxAl(100-x) s různým složením. Po exfoliaci sonikací byla minimální tloušťka volně stojící jednoduché vrstvy 2D CuxAl(100-x) pouze 1,5 nm. Dále bylo rozložení prahů SET určeno složením 2D materiálů CuxAl(100-x). Výsledky naznačují, že prahy SET a RESET lze upravit podle složení 2D materiálů CuxAl(100-x). Použití 2D kovů jako elektrod je slibné pro miniaturní memristivní zařízení.cze
dc.formatp. 2451018eng
dc.identifier.doi10.1142/S1793604724510184
dc.identifier.issn1793-6047
dc.identifier.obd39890274
dc.identifier.scopus2-s2.0-85187929626
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10195/86079
dc.identifier.wos001217478100006
dc.language.isoeng
dc.peerreviewednoeng
dc.publicationstatuspreprinteng
dc.publisherWorld Scientific Publishing Co.eng
dc.relation.ispartofFunctional Materials Letters, volume 17, issue: 04eng
dc.relation.publisherversionhttps://www.worldscientific.com/doi/10.1142/S1793604724510184
dc.rightsopen accesseng
dc.subject2D materialseng
dc.subjectmemristive deviceeng
dc.subject2D materiálycze
dc.subjectmemrisistivní zařízenícze
dc.titleInfluence of 2D CuxAl(100-x) electrodes on the CuxAl(100-x)/Cu21(SiO2)79/W memristive deviceeng
dc.title.alternativeVliv 2D elektrod CuxAl(100-x) na memristivní zařízení CuxAl(100-x)/Cu21(SiO2)79/Wcze
dc.typearticleeng
dspace.entity.typePublication

Soubory

Původní svazek

Nyní se zobrazuje 1 - 1 z 1
Náhled
Název:
4.pdf
Velikost:
1.03 MB
Formát:
Adobe Portable Document Format
4.pdf (1.03 MB)

Kolekce

Publikační činnost akademických pracovníků UPCE / UPCE Research Outputs
Publikační činnost akademických pracovníků FChT / FChT Research Outputs