Fotoindukované jevy v tenkých vrstvách systému As35SxSe65-x

Bůžek, Jan

Publikace:
Fotoindukované jevy v tenkých vrstvách systému As35SxSe65-x

Diplomová práceOmezený přístup

dc.contributor.advisor	Vlček, Miroslav	cze
dc.contributor.author	Bůžek, Jan
dc.contributor.referee	Drašar, Čestmír	cze
dc.date.accepted	2013	cze
dc.date.accessioned	2013-07-20T01:55:57Z
dc.date.available	2013-07-20T01:55:57Z
dc.date.issued	2013
dc.description.abstract	V rámci této diplomové práce byla připravena chalkogenidová skla ze systému As35SxSe65-x o složeních x=0; 16,25; 32,5; 48,75 a 65. Pomocí DTA byly zjištěny teploty Tg u studovaných složení. Z připravených objemových vzorků byly připraveny metodou vakuového napařování tenké vrstvy příslušných složení. Tenké vrstvy byly temperovány na teploty cca Tg - 20 °C, exponovány polychromatickým zářením halogenové lampy, resp. monochromatickým zářením výkonových diod ve spektrální oblasti mezi 375 nm a 790 nm, včetně kinetiky fotoindukovaného posunu KAH. Temperací i expozicí docházelo k růstu hodnoty (vrstvy tmavly) a rostl i jejich index lomu n (cca o 0,2). Bylo zjištěno, že vrstvy jsou nejvíce fotocitlivé na expozici zářením o energii mírně převyšující (cca 0,2 eV) , vrstvy binární jsou obecně citlivější než vrstvy ternárních složení. Ramanovou spektroskopií bylo prokázáno, že expozicí i temperací indukované změny optických vlastností jsou důsledkem změn v uspořádání na krátkou vzdálenost. Při expozici i temperaci klesá míra neuspořádanosti systému a struktura vrstev se blíží struktuře objemových vzorků.	cze
dc.description.abstract-translated	Chalcogenide bulk glasses from system As35SxSe65-x where x=0; 16.25; 32.5; 48.75 and 65 were synthesised for the purpose of this thesis. Thin layers were prepared by vacuum evaporation method from bulks as raw materials. Thin layers were annealed to the temperatures Tg - 20 °C, where Tg is glass transformation temperature of specific glass composition, which was estimated using DTA. Thin layers were irradiated by polychromatic light of the halogen lamp and/or by monochromatic light of diodes from the spectral range 375 nm to 790 nm, including kinetics of photo-induced shift of short wavelength absorption edge (SWAE). Values of increased (layers got darker) and index of refraction n increased (approx. by 0.2) after irradiation and annealing. It was found, that layers are most sensitive to the exposition by radiation with energy slightly higher than (approx. 0.2 eV). Binary layers are generally more sensitive than the ternary layers. It was proven using Raman spectroscopy, that changes of optical properties induced by irradiation and annealing are a results of changes in short range order. The rate of disorder decreases with irradiation and annealing and the structure of the layers approaches the structure of the bulk samples.	eng
dc.description.defence	Diplomant seznámil komisi se svojí diplomovou prací. Dále reagoval na připomínky oponenta. Zodpověděl otázky členů komise: Diskutujte způsob porovnání studovaných vzorků (virgin, exponovaný a temperovaný). Proč bylo právě zvoleno složení As35-S65. Diskutujte způsob uvedení citací ve Vaši práci. Diskutujte strukturu studovaných vzorků v Ramanových spektrech. Můžete ze studovaných vzorků navrhnout kandidáta na aplikaci? Jaká je časová stabilita studovaných vzorků?	cze
dc.description.department	Katedra obecné a anorganické chemie	cze
dc.description.grade	Dokončená práce s úspěšnou obhajobou	cze
dc.format	82 s.	cze
dc.format.extent	119913 bytes	cze
dc.format.mimetype	application/pdf	cze
dc.identifier	Univerzitní knihovna (studovna)	cze
dc.identifier.signature	D29400	cze
dc.identifier.stag	20796	cze
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10195/52395
dc.language.iso	cze
dc.publisher	Univerzita Pardubice	cze
dc.rights	Práce bude přístupná pouze v rámci univerzity od 10.5.2023	cze
dc.subject	chalkogenidové sklo	cze
dc.subject	tenká vrstva	cze
dc.subject	fotocitlivost	cze
dc.subject	Ramanova spektroskopie	cze
dc.subject	Swanepoelova metoda	cze
dc.subject	Chalcogenide glass	eng
dc.subject	thin layer	eng
dc.subject	photosensitivity	eng
dc.subject	Raman spectroscopy	eng
dc.subject	Swanepoels method	eng
dc.thesis.degree-discipline	Materiálové inženýrství	cze
dc.thesis.degree-grantor	Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická	cze
dc.thesis.degree-name	Ing.	cze
dc.thesis.degree-program	Chemie a technologie materiálů	cze
dc.title	Fotoindukované jevy v tenkých vrstvách systému As35SxSe65-x	cze
dc.title.alternative	Photoinduced phenomena in As35SxSe65-x thin films	eng
dc.type	diplomová práce	cze
dspace.entity.type	Publication