Fotoindukované jevy v tenkých vrstvách systému As35SxSe65-x

Abstract

V rámci této diplomové práce byla připravena chalkogenidová skla ze systému As35SxSe65-x o složeních x=0; 16,25; 32,5; 48,75 a 65. Pomocí DTA byly zjištěny teploty Tg u studovaných složení. Z připravených objemových vzorků byly připraveny metodou vakuového napařování tenké vrstvy příslušných složení. Tenké vrstvy byly temperovány na teploty cca Tg - 20 °C, exponovány polychromatickým zářením halogenové lampy, resp. monochromatickým zářením výkonových diod ve spektrální oblasti mezi 375 nm a 790 nm, včetně kinetiky fotoindukovaného posunu KAH. Temperací i expozicí docházelo k růstu hodnoty (vrstvy tmavly) a rostl i jejich index lomu n (cca o 0,2). Bylo zjištěno, že vrstvy jsou nejvíce fotocitlivé na expozici zářením o energii mírně převyšující (cca 0,2 eV) , vrstvy binární jsou obecně citlivější než vrstvy ternárních složení. Ramanovou spektroskopií bylo prokázáno, že expozicí i temperací indukované změny optických vlastností jsou důsledkem změn v uspořádání na krátkou vzdálenost. Při expozici i temperaci klesá míra neuspořádanosti systému a struktura vrstev se blíží struktuře objemových vzorků.