Digitální knihovna UPCE přechází na novou verzi. Omluvte prosím případné komplikace. / The UPCE Digital Library is migrating to a new version. We apologize for any inconvenience.

Publikace:
The creation of defects in Cu-doped TiO2 memristive devices

Článekopen accesspreprint
Zobrazit minimální záznam
dc.contributor.authorGu, Bincze
dc.contributor.authorZhang, Bocze
dc.contributor.authorWágner, Tomášcze
dc.date.accessioned2025-10-07T10:22:31Z
dc.date.issued2024
dc.description.abstractMemristors are utilized in nonvolatile memory and artificial synaptic devices. However, the industrial application of memristors has been restricted by the occurrence of fatigue, the mechanism of which is still under debate. In this paper, we systematically investigated the mechanism of defect generation created by Joule heating in Cu-doped TiO2 memristive device. The results also demonstrated that the Joule heat for artificial synaptic emulation was less severe than that for digital data storage.eng
dc.description.abstract-translatedMemristory se používají v nevolatilních pamětech a umělých synaptických zařízeních. Průmyslové využití memristorů je však omezeno výskytem defektů, jejichž mechanismus je stále předmětem diskusí. V tomto článku jsme systematicky zkoumali mechanismus vzniku defektů vytvořených Jouleovým ohřevem v memristivním zařízení z TiO2 dopovaného Cu. Výsledky také ukázaly, že Jouleovo zahřívání pro umělou emulaci synapse je méně závažné než pro ukládání digitálních dat.cze
dc.formatp. 1313-1318eng
dc.identifier.doi10.1557/s43579-024-00634-4
dc.identifier.issn2159-6859
dc.identifier.obd39890275
dc.identifier.scopus2-s2.0-85203268846
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10195/86080
dc.identifier.wos001308074800001
dc.language.isoeng
dc.peerreviewednoeng
dc.publicationstatuspreprinteng
dc.publisherSpringereng
dc.relation.ispartofMRS Communications, volume 14, issue: 6eng
dc.relation.publisherversionhttps://link.springer.com/article/10.1557/s43579-024-00634-4#citeas
dc.rightsopen accesseng
dc.subjectPhysical vapor depositioneng
dc.subjectSemiconductorseng
dc.subjectThin filmseng
dc.subjectFyzikální napařovánícze
dc.subjectpolovodičecze
dc.subjecttenké vrstvycze
dc.titleThe creation of defects in Cu-doped TiO2 memristive deviceseng
dc.title.alternativeVznik defektů v memristivních zařízeních z TiO2 dopovaného Cucze
dc.typearticleeng
dspace.entity.typePublication

Soubory

Původní svazek

Nyní se zobrazuje 1 - 1 z 1
Náhled
Název:
5.pdf
Velikost:
909.77 KB
Formát:
Adobe Portable Document Format
5.pdf (909.77 KB)

Kolekce

Publikační činnost akademických pracovníků UPCE / UPCE Research Outputs
Publikační činnost akademických pracovníků FChT / FChT Research Outputs