Digitální knihovna UPCE přechází na novou verzi. Omluvte prosím případné komplikace. / The UPCE Digital Library is migrating to a new version. We apologize for any inconvenience.

Publikace:
On the ultimate resolution of As2S3-based inorganic resists

Článekopen accesspeer-reviewedsubmitted version (preprint)
Zobrazit minimální záznam
dc.contributor.authorNesterov, S., I
dc.contributor.authorBoyko, M. E
dc.contributor.authorKrbal, Miloš
dc.contributor.authorKolobov, A., V
dc.date.accessioned2022-06-03T12:10:56Z
dc.date.available2022-06-03T12:10:56Z
dc.date.issued2021
dc.description.abstractThe possibility of making lithographic masks based on As2S3 chalcogenide glass with ultimately small size of resist elements has been investigated. Interference lithography using synchrotron radiation with a wavelength of 13.4 nm, corresponding to extreme ultraviolet light, was used. High-quality masks with elements of 30 nm in size were obtained. In a dynamic light scattering study, resist particles of about 3 nm in size were found in the developer after the development process, which corresponds to the intermediate-range order parameter in the structure of the chalcogenide glass. It is assumed that this grain size determines the ultimate resolution, roughness and unevenness of the edge of the inorganic resist mask.eng
dc.description.abstract-translatedByla zkoumána možnost výroby litografických masek na bázi chalkogenidového skla As2S3 s ultimátně malou velikostí rezistových prvků. Byla použita interferenční litografie využívající synchrotronového záření o vlnové délce 13,4 nm, odpovídající extrémnímu ultrafialovému světlu. Byly získány vysoce kvalitní masky s prvky o velikosti 30 nm. Ve studii dynamického rozptylu světla byly ve vývojce po procesu vyvolávání nalezeny částice rezistu o velikosti asi 3 nm, což odpovídá uspořádání na střední vzdálenost ve struktuře chalkogenidového skla. Předpokládá se, že tato velikost zrna určuje konečné rozlišení, drsnost a nerovnosti okraje masky anorganického rezistu.cze
dc.formatp. 120816eng
dc.identifier.doi10.1016/j.jnoncrysol.2021.120816
dc.identifier.issn0022-3093
dc.identifier.obd39886673
dc.identifier.scopus2-s2.0-85104945493
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10195/79044
dc.identifier.wos000647700800007
dc.language.isoeng
dc.peerreviewedyeseng
dc.publicationstatussubmitted version (preprint)eng
dc.publisherElsevier Science BVeng
dc.relation.ispartofJournal of Non-Crystalline Solids, volume 563, issue: Julyeng
dc.relation.publisherversionhttps://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022309321001757?via%3Dihub
dc.rightsopen access (green)eng
dc.subjectchalcogenide glasseng
dc.subjectlone-pair electronseng
dc.subjectinorganic resisteng
dc.subjectinterference lithographyeng
dc.subjectEUV lithographyeng
dc.subjectchalkogenidové sklocze
dc.subjectnevazebné elektronové párycze
dc.subjectanorganický rezistwcze
dc.subjectinterferenční litografiecze
dc.subjectEUV litografiecze
dc.titleOn the ultimate resolution of As2S3-based inorganic resistseng
dc.title.alternativeZpráva o konečném rozlišení anorganických rezistů na bázi As2S3cze
dc.typeArticleeng
dspace.entity.typePublication

Soubory

Původní svazek

Nyní se zobrazuje 1 - 1 z 1
Náhled
Název:
Resist_FIN2.pdf
Velikost:
1.62 MB
Formát:
Adobe Portable Document Format
Resist_FIN2.pdf (1.62 MB)

Kolekce

Publikační činnost akademických pracovníků UPCE / UPCE Research Outputs
Publikační činnost akademických pracovníků FChT / FChT Research Outputs