Digitální knihovna UPCE přechází na novou verzi. Omluvte prosím případné komplikace. / The UPCE Digital Library is migrating to a new version. We apologize for any inconvenience.

Publikace:
Charakterizace vlivu epitaxní Si desky na parametry 1200 V FRD součástek

Diplomová práceEmbargo
Zobrazit minimální záznam
dc.contributor.advisorKnotek, Petr
dc.contributor.authorKaňková, Hana
dc.contributor.refereeWágner, Tomáš
dc.date.accepted2025-06-03
dc.date.accessioned2025-07-07T07:41:28Z
dc.date.issued2025
dc.date.submitted2025-05-05
dc.description.abstractPředkládaná diplomová práce se zabývá analýzou vlivu parametrů 2. epitaxní vrstvy (tloušťky a elektrického odporu) na statické elektrické parametry součástek na Si deskách pro vysoké napětí (1200 V) určených pro rychlé spínání (tzv. Fast Recovery Diode, FRD). Cílem práce bylo ověřit, zda změna tloušťky a el. odporu na navržené hodnoty povede ke změnám statických parametrů součástek, případně zvýšení jejich výtěžnosticze
dc.description.abstract-translatedThe presented diploma thesis deals with the analysis of the influence of the parameters of the 2nd epitaxial layer (thickness and electrical resistence) on the static electrical parameters of the components on Si wafers for high voltage (1200 V) designed for fast switching (Fast Recovery Diode, FRD). The aim of the thesis was to verify whether changing thickness and electrical resistence to the proposed values will lead to changes in the static parameters of the components and increase their yield.eng
dc.description.defenceDiplomantka seznámila komisi se svojí diplomovou prací. Dále reagovala na připomínky oponenta. Zodpověděla otázky členů komise: V čem se liší chemické složení substrátu a epitaxní vrstvy? Jaké dopanty/prvky použijete na přípravu n a p typů polovodičů? Upřesněte závislost závěrného napětí s teplotou. Upřesněte porovnání studovaných skupin diod. Upřesněte podmínky epitaxního růstu, jaký reaktant byl použit?cze
dc.description.departmentFakulta chemicko-technologickácze
dc.description.gradeDokončená práce s úspěšnou obhajoboucze
dc.format98 s.
dc.identifier.stag50220
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10195/85387
dc.language.isocze
dc.publisherUniverzita Pardubicecze
dc.rightsPráce bude přístupná od 04.06.2028cze
dc.subjectFRD součástkycze
dc.subjectparametry epitaxní vrstvycze
dc.subjectelektrické parametrycze
dc.subjectvýtěžnostcze
dc.subjectFRD componentseng
dc.subjectepitaxial layer parameterseng
dc.subjectelectrical parameterseng
dc.subjectyieldeng
dc.thesis.degree-disciplineMateriálové inženýrstvícze
dc.thesis.degree-grantorUniverzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologickácze
dc.thesis.degree-nameIng.
dc.thesis.degree-programMateriálové inženýrstvícze
dc.titleCharakterizace vlivu epitaxní Si desky na parametry 1200 V FRD součástekcze
dc.title.alternativeCharacterization of the effect of the epitaxial layer on Si wafers on the parameters of 1200 V FRD componentseng
dc.typediplomová prácecze
dspace.entity.typePublication

Soubory

Původní svazek

Nyní se zobrazuje 1 - 4 z 4
Náhled
Název:
KankovaH_FRDSoucastky_PK_2025.pdf
Velikost:
4.58 MB
Formát:
Adobe Portable Document Format
Popis:
Plný text práce
Plný text práce (4.58 MB)
Náhled
Název:
KnotekP_FRDSoucastky_HK_2025.pdf
Velikost:
137.4 KB
Formát:
Adobe Portable Document Format
Popis:
Posudek vedoucího práce
Posudek vedoucího práce (137.4 KB)
Náhled
Název:
Posudek_oponenta_Wagner.pdf
Velikost:
1.14 MB
Formát:
Adobe Portable Document Format
Popis:
Posudek oponenta práce
Posudek oponenta práce (1.14 MB)
Náhled
Název:
priloha_c._2_odlozeni_zverejneni_zaverecne_prace_nebo_jeji_casti_158584_Kaňková.pdf
Velikost:
113.71 KB
Formát:
Adobe Portable Document Format
Popis:
Formulář Odložení zveřejnění závěrečné práce nebo její části
Formulář Odložení zveřejnění závěrečné práce nebo její části (113.71 KB)

Kolekce

Diplomové práce / Theses KOANCH FCHT (Ing.)
Vysokoškolské kvalifikační práce / Theses, dissertations, etc.