Charakterizace tenkých vrstev a objemových polovodičů - Janíček, Petr (Univerzita Pardubice, 2019)
Předložená práce je rozdělená na dvě části. První část práce je věnována elektroskopické elipsometrii a jejímu využití pro studium materiálů, ať už ve formě objemových skel, tak zejména ve formě tenkých vrstev, multivrstev, případně složitějších struktur. V habilitační práci je ukázáno využití a přínos této metody pro objemové materiály (konkrétně pro flourovaný ethylen-propylen), tenké vrstvy (konkrétně pro vrstvu zlata naprášenou na skleněný, resp. plastový substrát, dále pro vrstvy nanokrystalického diamantu, amorfního chalkogenidu o složení Ge25S75, organického polovodiče PEDOT:PSS a ZnO dopovaného cínem) a složitější případy (konkrétně nehomogenní průběh optických vlastností při studiu vrstev amorfních chalkogenidů o složení As35S65 a As42Se58). Druhá část práce se věnuje výsledkům výzkumu vybraných polykrystalických objemových polovodičů (konkrétně SnSe dopovaného Tl a CuInTe2) pro termoelektrické aplikace.
Characterization of thin layers and bulk semiconductors
Keywords: spektroskopická elipsometrie; optické konstanty; index lomu; extinkční koeficient; tenké vrstvy; objemové polovodiče; termoelektrické vlastnosti; spectroscopic ellipsometry; optical constants; refraction index; extinction coefficient; thin films; bulk semiconductors; thermoelectric properties