Příprava tenkých vrstev (oxy)chalkogenidů na bázi (GeS2)80(Ga2S3)20-x(Sb2S3)x metodou rotačního nanášení - Halík, Tomáš (Univerzita Pardubice, 2018)
Bakalářská práce se zabývá studiem přípravy tenkých vrstev (oxy)chalkogenidů (GeS2)80(Ga2S3)20-x(Sb2S3)x, kde x = 0-20 mol. %, metodou rotačního nanášení z příslušných roztoků. Na začátku práce byla pozornost věnována přípravě a optimalizaci chalkogenidových roztoků s použitím rozpouštědla monohydrátu hydrazinu. Z těchto roztoků byly připraveny tenké vrstvy výše uvedených oxy(chalkogenidů) metodou rotačního nanášení. Tenké vrstvy byly stabilizovány temperací a charakterizovány různými technikami. Práce přináší nové poznatky o přípravě (oxy)chalkogenidových tenkých vrstev Ga-Ge-Sb-S(-O) z roztoků, což rozšiřuje jejich aplikační potenciál pro flexibilní a tištěnou fotoniku a optoelektroniku.
Preparation of the (GeS2)80(Ga2S3)20-x(Sb2S3)x-based (oxy)chalcogenide thin films by the spin coating technique
Keywords: chalkogenidová skla; chalcogenide glasses; tenká vrstva; rotační nanášení; hydrazin; Ga-Ge-Sb-S; Ge-Ga-S; Ge-Sb-S; thin film; spincoating; hydrazine