| dc.contributor.advisor |
Střižík, Lukáš |
|
| dc.contributor.author |
Jiroušková, Ema
|
|
| dc.date.accessioned |
2024-07-08T13:54:29Z |
|
| dc.date.available |
2024-07-08T13:54:29Z |
|
| dc.date.issued |
2024 |
|
| dc.date.submitted |
2024-05-09 |
|
| dc.identifier.uri |
https://hdl.handle.net/10195/83460 |
|
| dc.description.abstract |
Předkládaná diplomová práce se zabývá studium mikrodefektů ve slabě legovaném N-typovém Czochralskim křemíku. Charakterizace distribuce a charakteru mikrodefektů v křemíkových deskách byla provedena pro dvě skupiny desek lišících se podstoupením kroku denudačního žíhání. Na deskách byly provedeny vysokoteplotní testy s cílem zvýraznit existující mikrodefekty. Analýza mikrodefektů na křemíkových deskách byla provedena pomocí optické mikroskopie a skenovací elektronové mikroskopie s metodou detekce hran a rozptylem laserového svazku. Diplomová práce byla vytvořena za podpory společnosti ON Semiconductor Czech Republic, s. r. o. v Rožnově pod Radhoštěm. |
cze |
| dc.language.iso |
cze |
|
| dc.publisher |
Univerzita Pardubice |
cze |
| dc.rights |
Bez omezení |
|
| dc.subject |
Czochralskiho křemík; mikrodefekty; denudační žíhání; vysokoteplotní testy |
cze |
| dc.subject |
Czochralski silicon; microdefects; denudation annealing; high-temperature tests |
eng |
| dc.title |
Charakterizace mikrodefektů v monokrystalech Czochralskiho křemíku |
cze |
| dc.title.alternative |
Characterization of microdefects in Czochralski silicon single crystals |
eng |
| dc.type |
diplomová práce |
cze |
| dc.contributor.referee |
Wágner, Tomáš |
|
| dc.date.accepted |
2024-06-03 |
|
| dc.description.abstract-translated |
The presented diploma thesis deals with the study of microdefects in lightly doped N-type Czochralski silicon. Characterization of the distribution and nature of microdefects in silicon wafers was performed for two groups of wafers differing in the denudation annealing step. High-temperature tests were conducted on the wafers to highlight existing microdefects. Analysis of microdefects on the silicon wafers was carried out by using optical microscopy and scanning electron microscopy with edge detection method and laser beam scattering. This diploma thesis was created with the support of ON Semiconductor Czech Republic, s.r.o. in Rožnov pod Radhoštěm. |
eng |
| dc.description.department |
Fakulta chemicko-technologická |
cze |
| dc.thesis.degree-discipline |
Materiálové inženýrství |
cze |
| dc.thesis.degree-name |
Ing. |
|
| dc.thesis.degree-grantor |
Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická |
cze |
| dc.thesis.degree-program |
Materiálové inženýrství |
cze |
| dc.description.defence |
<p>Diplomantka seznámila komisi se svojí diplomovou prací.</p>
<p>Dále reagovala na připomínky oponenta.</p>
<p>Zodpověděla otázky členů komise:</p>
<p>Diskutujte jaké oxidy při tažení monokrystalu křemíku?</p>
<p>Proč se u leptání používá CuCl2.2H2O.</p>
<p>Proč je nejvíc kyslíku na začátku a na konci monokrystalu?</p>
<p>Byly vakance studovány pomocí elektronové mikroskopie?</p>
<p>Jak velké byly void defekty?</p>
<p>Definujte pojem intersticiální část monokrystalu.</p>
<p>Jaká je šířka zakázaného pásu křemíku?</p>
<p>Jak by šla připravit Si deska bez přítomnosti kyslíku na povrchu?</p>
<p> </p> |
cze |
| dc.identifier.stag |
47995 |
|
| dc.description.grade |
Dokončená práce s úspěšnou obhajobou |
cze |
