On the ultimate resolution of As2S3-based inorganic resists

Nesterov, S., I; Boyko, M. E; Krbal, Miloš; Kolobov, A., V

DSpace Home
→
Univerzita Pardubice
→
Publikační činnost akademických pracovníků UPCE / UPCE Research Outputs
→
View Item

dc.contributor.author	Nesterov, S., I
dc.contributor.author	Boyko, M. E
dc.contributor.author	Krbal, Miloš
dc.contributor.author	Kolobov, A., V
dc.date.accessioned	2022-06-03T12:10:56Z
dc.date.available	2022-06-03T12:10:56Z
dc.date.issued	2021
dc.identifier.issn	0022-3093
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10195/79044
dc.description.abstract	The possibility of making lithographic masks based on As2S3 chalcogenide glass with ultimately small size of resist elements has been investigated. Interference lithography using synchrotron radiation with a wavelength of 13.4 nm, corresponding to extreme ultraviolet light, was used. High-quality masks with elements of 30 nm in size were obtained. In a dynamic light scattering study, resist particles of about 3 nm in size were found in the developer after the development process, which corresponds to the intermediate-range order parameter in the structure of the chalcogenide glass. It is assumed that this grain size determines the ultimate resolution, roughness and unevenness of the edge of the inorganic resist mask.	eng
dc.format	p. 120816	eng
dc.language.iso	eng
dc.publisher	Elsevier Science BV	eng
dc.relation.ispartof	Journal of Non-Crystalline Solids, volume 563, issue: July	eng
dc.rights	open access (green)	eng
dc.subject	chalcogenide glass	eng
dc.subject	lone-pair electrons	eng
dc.subject	inorganic resist	eng
dc.subject	interference lithography	eng
dc.subject	EUV lithography	eng
dc.subject	chalkogenidové sklo	cze
dc.subject	nevazebné elektronové páry	cze
dc.subject	anorganický rezistw	cze
dc.subject	interferenční litografie	cze
dc.subject	EUV litografie	cze
dc.title	On the ultimate resolution of As2S3-based inorganic resists	eng
dc.title.alternative	Zpráva o konečném rozlišení anorganických rezistů na bázi As2S3	cze
dc.type	article	eng
dc.description.abstract-translated	Byla zkoumána možnost výroby litografických masek na bázi chalkogenidového skla As2S3 s ultimátně malou velikostí rezistových prvků. Byla použita interferenční litografie využívající synchrotronového záření o vlnové délce 13,4 nm, odpovídající extrémnímu ultrafialovému světlu. Byly získány vysoce kvalitní masky s prvky o velikosti 30 nm. Ve studii dynamického rozptylu světla byly ve vývojce po procesu vyvolávání nalezeny částice rezistu o velikosti asi 3 nm, což odpovídá uspořádání na střední vzdálenost ve struktuře chalkogenidového skla. Předpokládá se, že tato velikost zrna určuje konečné rozlišení, drsnost a nerovnosti okraje masky anorganického rezistu.	cze
dc.peerreviewed	yes	eng
dc.publicationstatus	submitted version (preprint)	eng
dc.identifier.doi	10.1016/j.jnoncrysol.2021.120816
dc.relation.publisherversion	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022309321001757?via%3Dihub
dc.identifier.wos	000647700800007
dc.identifier.scopus	2-s2.0-85104945493
dc.identifier.obd	39886673