A layered Ge2Sb2Te5 phase change material

Zhang, Bo; Čičmancová, Veronika; Kupcik, Jaroslav; Šlang, Stanislav; Rodriguez Pereira, Jhonatan; Svoboda, Roman; Kutálek, Petr; Wágner, Tomáš

Digitální knihovna UPCE
→
Univerzita Pardubice
→
Publikační činnost akademických pracovníků UPCE / UPCE Research Outputs
→
Zobrazit záznam

dc.contributor.author	Zhang, Bo
dc.contributor.author	Čičmancová, Veronika
dc.contributor.author	Kupcik, Jaroslav
dc.contributor.author	Šlang, Stanislav
dc.contributor.author	Rodriguez Pereira, Jhonatan
dc.contributor.author	Svoboda, Roman
dc.contributor.author	Kutálek, Petr
dc.contributor.author	Wágner, Tomáš
dc.date.accessioned	2021-05-15T18:47:43Z
dc.date.available	2021-05-15T18:47:43Z
dc.date.issued	2020
dc.identifier.issn	2040-3364
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10195/77359
dc.description.abstract	In this study, a universal Ge2Sb2Te5 phase change material was sputtered to obtain a layered structure. The crystalline phase of this material was prepared by annealing. SEM (scanning electron microscopy) and HRTEM (high-resolution transmission electron microscopy) images give confirmed that the sputtered Ge2Sb2Te5 thin film in crystalline phase has multiple layers. The layers can be exfoliated by acetone. The thicknesses of acetone-exfoliated crystalline and amorphous flakes are approx. 10–60 nm.	eng
dc.format	p. 3351-3358	eng
dc.language.iso	eng
dc.relation.ispartof	Nanoscale, volume 12, issue: 5	eng
dc.rights	open access	eng
dc.subject	change memory	eng
dc.subject	crystallization	eng
dc.subject	dynamics	eng
dc.subject	model	eng
dc.subject	paměti	cze
dc.subject	krystalizace	cze
dc.subject	dynamika	cze
dc.subject	model	cze
dc.title	A layered Ge2Sb2Te5 phase change material	eng
dc.title.alternative	Vrstevnatý materiál s fázovou změnou na bázi Ge2Sb2Te5	cze
dc.type	article	eng
dc.description.abstract-translated	V této studii byl připraven univerzální materiál Ge2Sb2Te5 s fázový přechodem a vrstevnatou strukturou pomocí metody naprašování.Krystalická fáze materiálu byla připravena pomocí temperace. SEM (skenovací elektronová mikroskopie) a HRTEM (transmisní elektronová mikroskopie s vysokým rozlišením) scany potvrdily, že naprášené vrstvy Ge2Sb2Te5 v krystalické fázi byly tvořeny mnoha vrstvami. Nalezené vrstvy byly úspěšně exfoliovány v acetonu. Tloušťka krystalických a amorfních v acetonu exfoliovaných vrstev byla cca. 10-60nm.	cze
dc.peerreviewed	yes	eng
dc.publicationstatus	preprint (submitted version)	eng
dc.identifier.doi	10.1039/c9nr08745a
dc.relation.publisherversion	https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2020/NR/C9NR08745A
dc.identifier.wos	000516533300046
dc.identifier.scopus	2-s2.0-85079078705
dc.identifier.obd	39885004