Charakterizace tenkých vrstev a objemových polovodičů

Janíček, Petr

Digitální knihovna UPCE
→
Univerzita Pardubice
→
Vysokoškolské kvalifikační práce / Theses, dissertations, etc.
→
Zobrazit záznam

dc.contributor.author	Janíček, Petr
dc.date.accessioned	2020-06-02T08:10:31Z
dc.date.available	2020-06-02T08:10:31Z
dc.date.issued	2019
dc.identifier	Univerzitní knihovna (studovna)	cze
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10195/75446
dc.description.abstract	Předložená práce je rozdělená na dvě části. První část práce je věnována elektroskopické elipsometrii a jejímu využití pro studium materiálů, ať už ve formě objemových skel, tak zejména ve formě tenkých vrstev, multivrstev, případně složitějších struktur. V habilitační práci je ukázáno využití a přínos této metody pro objemové materiály (konkrétně pro flourovaný ethylen-propylen), tenké vrstvy (konkrétně pro vrstvu zlata naprášenou na skleněný, resp. plastový substrát, dále pro vrstvy nanokrystalického diamantu, amorfního chalkogenidu o složení Ge25S75, organického polovodiče PEDOT:PSS a ZnO dopovaného cínem) a složitější případy (konkrétně nehomogenní průběh optických vlastností při studiu vrstev amorfních chalkogenidů o složení As35S65 a As42Se58). Druhá část práce se věnuje výsledkům výzkumu vybraných polykrystalických objemových polovodičů (konkrétně SnSe dopovaného Tl a CuInTe2) pro termoelektrické aplikace.	cze
dc.format	62 s, + přílohy	cze
dc.language.iso	cze	cze
dc.publisher	Univerzita Pardubice	cze
dc.subject	spektroskopická elipsometrie	cze
dc.subject	optické konstanty	cze
dc.subject	index lomu	cze
dc.subject	extinkční koeficient	cze
dc.subject	tenké vrstvy	cze
dc.subject	objemové polovodiče	cze
dc.subject	termoelektrické vlastnosti	cze
dc.subject	spectroscopic ellipsometry	eng
dc.subject	optical constants	eng
dc.subject	refraction index	eng
dc.subject	extinction coefficient	eng
dc.subject	thin films	eng
dc.subject	bulk semiconductors	eng
dc.subject	thermoelectric properties	eng
dc.title	Charakterizace tenkých vrstev a objemových polovodičů	cze
dc.title.alternative	Characterization of thin layers and bulk semiconductors	en
dc.type	habilitační práce	cze
dc.date.accepted	2019
dc.description.abstract-translated	The presented work is divided into two parts. The first part of work is devoted to spectroscopic ellipsometry and its utilization for the study of materilas either in the form of bulks or especially in the form of thin layers, multilayers or more complex structures. In the habilitation thesis, the utilization and results obtained using spectroscopic ellipsometry for bulk material (more specifically fluorinated ethylene propylene), thin layers (more specifically gold layer sputtered onto glass and plastic substrate, nanocrystalline diamond layers, layers of amorphous chalcogenide Ge25S75, layers of organic semiconductor PEDOT: PSS and ZnO doped with Sn) and more complex issues (more specifically refractive index non-uniform depth profile in this layers of amourphous chalcogenides (As35S65 and As42Se58)) are shown. The second part of the thesis deals with results of the research of selected polycrystalline bulk semiconductors (more specifically SnSe doped with Tl and CuInTe2) for thermoelectric applications.	eng
dc.thesis.degree-name	doc.	cze
dc.thesis.degree-grantor	Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická	cze
dc.identifier.signature	D40284