Zobrazit minimální záznam
dc.contributor.author |
Mawale, Ravi
|
cze |
dc.contributor.author |
Halenkovič, Tomáš
|
cze |
dc.contributor.author |
Bouška, Marek
|
cze |
dc.contributor.author |
Gutwirth, Jan
|
cze |
dc.contributor.author |
Nazabal, Virginie
|
cze |
dc.contributor.author |
Bora, Pankaj Lochan
|
cze |
dc.contributor.author |
Pecinka, Lukas
|
cze |
dc.contributor.author |
Prokes, Lubomir
|
cze |
dc.contributor.author |
Havel, Josef
|
cze |
dc.contributor.author |
Němec, Petr
|
cze |
dc.date.accessioned |
2020-03-19T13:04:11Z |
|
dc.date.available |
2020-03-19T13:04:11Z |
|
dc.date.issued |
2019 |
eng |
dc.identifier.issn |
2045-2322 |
eng |
dc.identifier.uri |
https://hdl.handle.net/10195/75019 |
|
dc.description.abstract |
Amorphous chalcogenide thin films are widely studied due to their enhanced properties and extensive applications. Here, we have studied amorphous Ga-Sb-Se chalcogenide thin films prepared by magnetron co-sputtering, via laser ablation quadrupole ion trap time-of-flight mass spectrometry. Furthermore, the stoichiometry of the generated clusters was determined which gives information about individual species present in the plasma plume originating from the interaction of amorphous chalcogenides with high energy laser pulses. Seven different compositions of thin films (Ga content 7.6-31.7 at. %, Sb content 5.2-31.2 at. %, Se content 61.2-63.3 at. %) were studied and in each case about -50 different clusters were identified in positive and -20-30 clusters in negative ion mode. Finally, for selected binary and ternary clusters, their structure was calculated by using DFT optimization procedure. |
eng |
dc.format |
"10213-1"-"10213-10" |
eng |
dc.language.iso |
eng |
eng |
dc.publisher |
Nature Publishing Group |
eng |
dc.relation.ispartof |
Scientific Reports, volume 9, issue: July |
eng |
dc.rights |
open access (CC BY 4.0) |
eng |
dc.rights.uri |
https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
* |
dc.subject |
amorphous chalcogenides |
eng |
dc.subject |
thin films |
eng |
dc.subject |
magnetron sputtering |
eng |
dc.subject |
mass spectrometry |
eng |
dc.subject |
amorfní chalkogenidy |
cze |
dc.subject |
tenké vrstvy |
cze |
dc.subject |
magnetronové naprašování |
cze |
dc.subject |
hmotnostní spektrometrie |
cze |
dc.title |
Mass spectrometric investigation of amorphous Ga-Sb-Se thin films |
eng |
dc.title.alternative |
Studium amorfních tenkých vrstev Ga-Sb-Se pomocí hmotnostní spektrometrie |
cze |
dc.type |
article |
eng |
dc.description.abstract-translated |
Amorfní chalkogenidové tenké vrstvy jsou široce studovány s ohledem na jejich vlastnosti a rozsáhlé aplikace. V této práci jsme studovali amorfní chalkogenidové tenké vrstvy Ga-Sb-Se připravené magnetronovým vícekatodovým naprašováním s pomocí time-of-flight hmotnostní spektrometrie s laserovou ablací a kvadrupólovou iontovou pastí. Dále byla určena stechiometrie generovaných klastrů, což dává informace o jednotlivých částicích přítomných v plazmatu, které vznikají při interakci amorfních chalkogenidů s vysoce energetickými laserovými pulzy. Bylo studováno sedm různých složení tenkých vrstev (obsah Ga 7,6-31,7 at. %, obsah Sb 5,2-31,2 at. %, obsah Se 61,2-63,3 at. %) a ve všech případech bylo identifikováno asi 50 různých klastrů v pozitivním iontovém módu a 20-30 v negativním módu. Pro vybrané binární a ternární klastry byla pomocí DFT optimalizační procedury vypočtena jejich struktura. |
cze |
dc.peerreviewed |
yes |
eng |
dc.publicationstatus |
published version |
eng |
dc.identifier.doi |
10.1038/s41598-019-46767-8 |
eng |
dc.relation.publisherversion |
https://www.nature.com/articles/s41598-019-46767-8 |
eng |
dc.project.ID |
GA18-03823S/Pokročilé metody přípravy tenkých vrstev chalkogenidů a jejich modifikace |
eng |
dc.identifier.wos |
000475467800056 |
eng |
dc.identifier.obd |
39883595 |
eng |
Tento záznam se objevuje v následujících kolekcích
Zobrazit minimální záznam
Kromě případů, kde je uvedeno jinak, licence tohoto záznamu je open access (CC BY 4.0)
|
Vyhledávání
Procházet
-
Vše v Digitální knihovně
-
Tato kolekce
Můj účet
|