Využití organokovových sloučenin pro depozice anorganických materiálů
Disertační práceOmezený přístupDatum publikování
2019
Autoři
Vedoucí práce
Oponent
Název časopisu
Název svazku
Vydavatel
Univerzita Pardubice
Abstrakt
Práce byla věnována studiu organokových prekurzorů, které by mohly byt využity především pro depozice tenkých vrstev III-VI materiálů. První část disertační práce se zabývala studiem možného využití známých N → Ga intramolekulárně koordinovaných chalkogenidů jako vhodných SSP pro přípravu tenkých polovodičových vrstev III-VI materiálů. Druhým cílem této práce byla snaha o přípravu monomerních N → M (M = Ga, In) intramolekulárně koordinovaných chalkogenidů a chalkogenolátů prvků 13. skupiny. Pro tento účel byly v této práci využity rozdílné N,C,N- a C,N-chelatující ligandy L1-3 (L1 je {2,6-(Me2NCH2)2C6H3}-, L2 je {2-(Et2NCH2)-4,6-tBu2-C6H2}- a L3 je {2,6-(tBuN=CH)2C6H3}-).
Rozsah stran
166 s.
ISSN
Trvalý odkaz na tento záznam
Projekt
Zdrojový dokument
Vydavatelská verze
Přístup k e-verzi
Práce není přístupná
Název akce
ISBN
Studijní obor
Anorganická chemie
Studijní program
Anorganická chemie
Signatura tištěné verze
D40135
Umístění tištěné verze
Univerzitní knihovna (archiv). Práce není přístupná.
Přístup k tištěné verzi
Klíčová slova
13. skupina prvků, tenké vrstvy, spin coating, chalkogenidy a chalkogenoláty, redukce, 13th group element, thin films, spin coating, chalcogenides and chalcogenolates, reduction