Příprava tenkých vrstev Cu a Ag-dopovaných chalkogenidů metodou pulsní laserové depozice
Diplomová práceOtevřený přístupDatum publikování
2019
Autoři
Vedoucí práce
Oponent
Název časopisu
Název svazku
Vydavatel
Univerzita Pardubice
Abstrakt
Práce se zabývá přípravou tenkých vrstev chalkogenidů o složení GeSe3, (GeSe3)95Ag5 a (GeSe3)95Cu5 z objemových vzorků příslušných složení. K přípravě tenkých vrstev chalkogenidů byla použita metoda pulsní laserové depozice (PLD). Dále jsou studovány strukturní, elektrické a optické vlastnosti připravených tenkých vrstev, společně s jejich chemickým složením. Zjištěné vlastnosti jsou dále srovnávány s objemovými vzorky, s literaturou a mezi tenkými vrstvami navzájem.
Rozsah stran
ISSN
Trvalý odkaz na tento záznam
Projekt
Zdrojový dokument
Vydavatelská verze
Přístup k e-verzi
bez omezení
Název akce
ISBN
Studijní obor
Materiálové inženýrství
Studijní program
Chemie a technologie materiálů
Signatura tištěné verze
D39335
Umístění tištěné verze
Univerzitní knihovna (studovna)
Přístup k tištěné verzi
Klíčová slova
tenké vrstvy, amorfní chalkogenidy, depozice, vlastnosti, thin films, amorphous chalcogenides, deposition, properties