Abstract:
Práce se zabývá přípravou tenkých vrstev chalkogenidů o složení GeSe3, (GeSe3)95Ag5 a (GeSe3)95Cu5 z objemových vzorků příslušných složení. K přípravě tenkých vrstev chalkogenidů byla použita metoda pulsní laserové depozice (PLD). Dále jsou studovány strukturní, elektrické a optické vlastnosti připravených tenkých vrstev, společně s jejich chemickým složením. Zjištěné vlastnosti jsou dále srovnávány s objemovými vzorky, s literaturou a mezi tenkými vrstvami navzájem.
