Příprava tenkých vrstev (oxy)chalkogenidů na bázi (GeS2)80(Ga2S3)20-x(Sb2S3)x metodou rotačního nanášení

Show simple item record

dc.contributor.advisor Střižík, Lukáš
dc.contributor.author Halík, Tomáš
dc.date.accessioned 2018-08-30T07:44:34Z
dc.date.available 2018-08-30T07:44:34Z
dc.date.issued 2018
dc.date.submitted 2018-07-04
dc.identifier Univerzitní knihovna (studovna) cze
dc.identifier.uri https://hdl.handle.net/10195/71764
dc.description.abstract Bakalářská práce se zabývá studiem přípravy tenkých vrstev (oxy)chalkogenidů (GeS2)80(Ga2S3)20-x(Sb2S3)x, kde x = 0-20 mol. %, metodou rotačního nanášení z příslušných roztoků. Na začátku práce byla pozornost věnována přípravě a optimalizaci chalkogenidových roztoků s použitím rozpouštědla monohydrátu hydrazinu. Z těchto roztoků byly připraveny tenké vrstvy výše uvedených oxy(chalkogenidů) metodou rotačního nanášení. Tenké vrstvy byly stabilizovány temperací a charakterizovány různými technikami. Práce přináší nové poznatky o přípravě (oxy)chalkogenidových tenkých vrstev Ga-Ge-Sb-S(-O) z roztoků, což rozšiřuje jejich aplikační potenciál pro flexibilní a tištěnou fotoniku a optoelektroniku. cze
dc.format 56 s.
dc.language.iso cze
dc.publisher Univerzita Pardubice cze
dc.rights bez omezení cze
dc.subject chalkogenidová skla cze
dc.subject chalcogenide glasses eng
dc.subject tenká vrstva cze
dc.subject rotační nanášení
dc.subject hydrazin cze
dc.subject Ga-Ge-Sb-S
dc.subject Ge-Ga-S
dc.subject Ge-Sb-S
dc.subject thin film eng
dc.subject spincoating eng
dc.subject hydrazine eng
dc.title Příprava tenkých vrstev (oxy)chalkogenidů na bázi (GeS2)80(Ga2S3)20-x(Sb2S3)x metodou rotačního nanášení cze
dc.title.alternative Preparation of the (GeS2)80(Ga2S3)20-x(Sb2S3)x-based (oxy)chalcogenide thin films by the spin coating technique eng
dc.type bakalářská práce cze
dc.date.accepted 2018-08-20
dc.description.abstract-translated Bachelor thesis deals with study and solution-based preparation of the (GeS2)80(Ga2S3)20-x(Sb2S3)x, where x = 0-20 mol.%, (oxy)chalcogenide thin films by the spincoating technique. At the beginnig of the work, the attention has been paid to prepration and optimization of chalcogenide solutions utilizing the hydrazine hydrate solvent. The solutions have been used for deposition of above mentioned (oxy)chalcogenide thin films by spincoating technique. Thin films were stabilized by annealing and characterized by variety of techniques. The present work brings new findings to solution-based preparation of Ga-Ge-Sb-S(-O) (oxy)chalcogenide thin films which broads their applicability in flexible and printed photonics and optoelectronics. eng
dc.description.department Fakulta chemicko-technologická cze
dc.thesis.degree-discipline Chemie a technická chemie cze
dc.thesis.degree-name Bc.
dc.thesis.degree-grantor Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická cze
dc.identifier.signature D38440
dc.thesis.degree-program Chemie a technická chemie cze
dc.description.defence Posluchač seznámil komisi se svojí bakalářskou prací. Dále reagoval na připomínky a zodpověděl otázky členů komise: Diskutujte přesnost hodnot indexu lomu. Diskutujte barevné změny studovaných skel. Byla stanovena optická šířka zakázaného pásu? cze
dc.identifier.stag 35695
dc.description.grade Dokončená práce s úspěšnou obhajobou cze


This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account