Practical Aspects of Realisation of Negative Charge Pumps

Show simple item record

dc.contributor.author Matoušek, David cze
dc.contributor.author Rejfek, Luboš cze
dc.date.accessioned 2018-02-27T02:45:56Z
dc.date.available 2018-02-27T02:45:56Z
dc.date.issued 2017 eng
dc.identifier.isbn 978-80-261-0641-8 eng
dc.identifier.issn 1803-7232 eng
dc.identifier.uri https://hdl.handle.net/10195/69852
dc.description.abstract A charge pump is DC/DC converter that produces a higher output voltage than power supply or generates a negative output voltage. Some variants of charge pumps work as voltage regulator, too. A charge pump is realised by capacitors, transistors and/or diodes. Therefore, some charge pumps are integrated directly to the systems that use these charge pumps. E.g. Flash or EEPROM memories are supplied from standard voltage about 3 V, but write and erase processes use a greater voltage about 12 V. This paper is concentrated on comparison of standard variant of negative charge pump with a new design. Thus, the output voltage, rise time and other parameters of these negative charge pumps are compared by simulation executed by LTspice XVII. The simulated results are verified by practical realization of charge pumps in discrete form. eng
dc.format p. 115-118 eng
dc.language.iso eng eng
dc.publisher IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) eng
dc.relation.ispartof International Conference on Applied Electronics eng
dc.rights open access eng
dc.subject negative charge pump eng
dc.subject Dickson charge pump eng
dc.subject Fibonacci charge pump eng
dc.subject series output resistance eng
dc.subject negativní nábojová pumpa cze
dc.subject Dickson nábojová pumpa cze
dc.subject Fibonacci nábojová pumpa cze
dc.subject sériový výstupní odpor cze
dc.title Practical Aspects of Realisation of Negative Charge Pumps eng
dc.title.alternative Praktické aspekty realizace negativních nábojových pump cze
dc.type ConferenceObject eng
dc.description.abstract-translated Nábojová pumpa je DC/DC převodník, který produkuje vyšší výstupní napětí než napájecí zdroj nebo generuje záporné výstupní napětí. Některé varianty nábojových pump fungují také jako regulátor napětí. Nábojová pumpa je realizována kondenzátory, tranzistory a/nebo diodami. Proto jsou některé nábojové pumpy integrovány přímo do systémů, které je používají. Např. Paměť Flash nebo EEPROM je napájena ze standardního napětí okolo 3 V, ale obvody zápisu a mazání používají vyšší napětí kolem 12 V. Tento příspěvek je zaměřen na porovnání standardní varianty nábojové pumpy se záporným výstupním napětím s novým designem. Výstupní napětí, doba náběhu a další parametry těchto záporných nábojových pump jsou porovnávány simulací provedenou v LTspice XVII. Simulované výsledky jsou ověřeny praktickou realizací nábojových pump v diskrétní formě. cze
dc.event 22nd International Conference on Applied Electronics, AE 2017 (05.09.2017 - 06.09.2017, Plzeň) eng
dc.peerreviewed yes eng
dc.publicationstatus postprint eng
dc.identifier.doi 10.23919/AE.2017.8053596 eng
dc.relation.publisherversion http://ieeexplore.ieee.org/document/8053596/
dc.project.ID SGS_2017_030/Zpracování telekomunikačních a multimediálních signálů eng
dc.identifier.wos 000427091900024
dc.identifier.scopus 2-s2.0-85034586336
dc.identifier.scopus 2-s2.0-85034586336
dc.identifier.obd 39879984 eng


This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account