RF sputtered amorphous chalcogenide thin films for surface enhanced infrared absorption spectroscopy

Zobrazit minimální záznam

dc.contributor.author Verger, Frédéric
dc.contributor.author Nazabal, Virginie
dc.contributor.author Colas, Florent
dc.contributor.author Němec, Petr
dc.contributor.author Christophe, Cardinaud
dc.contributor.author Emeline, Baudet
dc.contributor.author Radwan, Chahal
dc.contributor.author Emmanuel, Rinnert
dc.contributor.author Kada, Boukerma
dc.contributor.author Isabelle, Peron
dc.contributor.author Stéphanie, Deputier
dc.contributor.author Maryline, Guilloux-Viry
dc.contributor.author Jean-Pierre, Guin
dc.contributor.author Hervé, Lhermite
dc.contributor.author Alain, Moreac
dc.contributor.author Chantal, Compère
dc.contributor.author Bruno, Bureau
dc.date.accessioned 2015-02-18T13:23:13Z
dc.date.available 2015-02-18T13:23:13Z
dc.date.issued 2013
dc.identifier.issn 2159-3930
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/10195/59025
dc.description.abstract The primary objective of this study is the development of transparent thin film materials in the IR enabling strong infrared absorption of organic compounds in the vicinity of metal nanoparticles by the surface plasmon effect. For developing these optical micro-sensors, heterostructures combining gold nanoparticles and chalcogenide planar waveguides are fabricated and adequately characterized. Single As2S3 and Ge25Sb10Se65 amorphous chalcogenide thin films are prepared by radiofrequency magnetron sputtering. For the fabrication of gold nanoparticles on a chalcogenide planar waveguide, direct current sputtering is employed. Fabricated single layers or hetero-structures are characterized using various techniques to investigate the influence of deposition parameters. The nanoparticles of gold are functionalized by a self-assembled monolayer of 4-nitrothiophenol. Finally, the surface enhanced infrared absorption spectra of 4-nitrothiophenol self-assembled on fabricated Au/Ge-Sb-Se thin films hetero-structures are measured and analyzed. This optical component presents a ~24 enhancement factor for the detection of NO2 symmetric stretching vibration band of 4-nitrothiophenol at 1336 cm−1. cze
dc.format p. 2112-2131 eng
dc.language.iso eng
dc.publisher Optical Society of America
dc.relation.ispartof Optical Materials Express. 2013, vol. 3, issue 12 eng
dc.rights open access eng
dc.subject sputtering eng
dc.subject waveguides eng
dc.subject optical properties eng
dc.subject amorphous chalcogenides eng
dc.subject thin films eng
dc.subject surface enhanced infrared absorption spectroscopy eng
dc.subject naprašování cze
dc.subject vlnovody cze
dc.subject optické vlastnosti cze
dc.subject amorfní chalkogenidy cze
dc.subject tenké vrstvy cze
dc.subject povrchem zesílená infračervená absorpční spektroskopie cze
dc.title RF sputtered amorphous chalcogenide thin films for surface enhanced infrared absorption spectroscopy cze
dc.title.alternative RF naprašované amorfní chalkogenidové tenké vrstvy pro povrchem zesílenou infračervenou absorpční spektroskopii cze
dc.type Article cze
dc.description.abstract-translated Pro vývoj optických mikrosenzorů byly připraveny a adekvátně charakterizovány heterostruktury kombinující nanočástice zlata a chalkogenidové planární vlnovody. Amorfní chalkogenidové tenké vrstvy As2S3 a Ge25Sb10Se65 byly připraveny radiofrekvenčním magnetronovým naprašováním. Připravené vrstvy či heterostruktury jsou charakterizovány různými technikami s cílem studovat vliv depozičních podmínek. Nanočástice zlata jsou funkcionalizovány samouspořádanou monovrstvou 4-nitrothiofenolu. Byla změřena a analyzována povrchem zesílená infračervená absorpční spektra 4-nitrothiofenolu na připravených Au/Ge-Sb-Se tenkovrstvých heterostrukturách. Tato optická součást prokázala 24 násobné zesílení pro detekci symetrické valenční vibrace NO2 4-nitrothiofenolu při 1336 cm(-1). cze
dc.peerreviewed yes eng
dc.publicationstatus postprint eng
dc.identifier.doi 10.1364/OME.3.002112
dc.relation.publisherversion http://www.opticsinfobase.org/ome/abstract.cfm?uri=ome-3-12-2112
dc.identifier.wos 000327881000013
dc.identifier.scopus 2-s2.0-84896977980
dc.identifier.obd 39870012


Tento záznam se objevuje v následujících kolekcích

Zobrazit minimální záznam

Vyhledávání


Rozšířené hledání

Procházet

Můj účet