Digitální knihovnaUPCE
 

Příprava a fyzikálně chemické vlastnosti vybraných vzorků systému Ag-Sb-Pb-Ge-Te

Diplomová práce

Abstrakt

Byly připraveny vybrané objemové vzorky ze systémů GeTe - AgSbTe2 a AgGeSbTe3 - AgPbSbTe3. Mžikovým vakuovým napařováním byly připraveny tenké vrstvy na skleněné a křemíkové substráty. Temperací tenkých vrstev nad teplotou fázového přechodu byly pod ochrannou atmosférou inertního plynu (Ar) připraveny krystalické tenké vrstvy. Amorfní i krystalické vrstvy byly charakterizovány pomocí diferenční skenovací kalorimetrie (DSC), rentgenové difrakční analýzy (XRD), energiově dispersní rentgenové analýzy (EDX). Výsledky spektroskopické elipsometrie s proměnným úhlem (VASE) a optické propustnosti a reflektivity v UV, VIS, NIR oblasti spektra byly použity k vyhodnocení optické šířky zakázaného pásu a dalších optických parametrů. Byla měřena izokinetická teplotní závislost plošného elektrického odporu van der Pauwovou metodou a vyhodnoceny aktivační energie elektrické vodivosti. Čerstvě připravené vrstvy obsahující germanium se dle XRD podařilo připravit amorfní, vrstvy bez obsahu germania byly krystalické. Z měření DSC a teplotní závislosti plošného elektrického odporu zjištěného van der Pauwovou metodou vyplývá, že ke krystalizaci amorfních vrstev zpravidla docházelo v rozmezí teplot 130 ? 170 °C. Některé ze studovaných materiálů mohou být vhodné pro použití jako aktivní materiál pro permanentní ?phase-change? paměti. U některých vzorků, činil rozdíl v hodnotách optické reflektivity cca. 20% v celém rozsahu viditelného spektra. Rozdíl v hodnotách plošného elektrického odporu mezi krystalickou a amorfní fází byl u většiny vzorků přibližně tři řády.

Rozsah stran

116 s.

ISSN

Trvalý odkaz na tento záznam

Projekt

Zdrojový dokument

Vydavatelská verze

Přístup k e-verzi

pouze v rámci univerzity.

Název akce

ISBN

Studijní obor

Materiálové inženýrství

Studijní program

Chemie a technologie materiálů

Signatura tištěné verze

D21977
D21977

Umístění tištěné verze

Univerzitní knihovna (sklad)

Přístup k tištěné verzi

Klíčová slova

Paměti založené na fázové změně, tenké vrstvy, mžikové vakuové napařování, Ag-Sb-Pb-Ge-Te, GeTe-AgSbTe2, AgSbGeTe3-AgSbPbTe3, van der Pauwova metoda, Phase-change memories, thin films, flash evaporation, Ag-Sb-Pb-Ge-Te, GeTe-AgSbTe2, AgSbGeTe3-AgSbPbTe3, van der Pauw method

Endorsement

Review

item.page.supplemented

item.page.referenced