Příprava a fyzikálně chemické vlastnosti vybraných vzorků systému Ag-Sb-Pb-Ge-Te
Diplomová práceOmezený přístupDatum publikování
2010
Autoři
Vedoucí práce
Oponent
Název časopisu
Název svazku
Vydavatel
Univerzita Pardubice
Abstrakt
Byly připraveny vybrané objemové vzorky ze systémů GeTe - AgSbTe2 a AgGeSbTe3 - AgPbSbTe3. Mžikovým vakuovým napařováním byly připraveny tenké vrstvy na skleněné a křemíkové substráty. Temperací tenkých vrstev nad teplotou fázového přechodu byly pod ochrannou atmosférou inertního plynu (Ar) připraveny krystalické tenké vrstvy. Amorfní i krystalické vrstvy byly charakterizovány pomocí diferenční skenovací kalorimetrie (DSC), rentgenové difrakční analýzy (XRD), energiově dispersní rentgenové analýzy (EDX). Výsledky spektroskopické elipsometrie s proměnným úhlem (VASE) a optické propustnosti a reflektivity v UV, VIS, NIR oblasti spektra byly použity k vyhodnocení optické šířky zakázaného pásu a dalších optických parametrů. Byla měřena izokinetická teplotní závislost plošného elektrického odporu van der Pauwovou metodou a vyhodnoceny aktivační energie elektrické vodivosti. Čerstvě připravené vrstvy obsahující germanium se dle XRD podařilo připravit amorfní, vrstvy bez obsahu germania byly krystalické. Z měření DSC a teplotní závislosti plošného elektrického odporu zjištěného van der Pauwovou metodou vyplývá, že ke krystalizaci amorfních vrstev zpravidla docházelo v rozmezí teplot 130 ? 170 °C. Některé ze studovaných materiálů mohou být vhodné pro použití jako aktivní materiál pro permanentní ?phase-change? paměti. U některých vzorků, činil rozdíl v hodnotách optické reflektivity cca. 20% v celém rozsahu viditelného spektra. Rozdíl v hodnotách plošného elektrického odporu mezi krystalickou a amorfní fází byl u většiny vzorků přibližně tři řády.
Rozsah stran
116 s.
ISSN
Trvalý odkaz na tento záznam
Projekt
Zdrojový dokument
Vydavatelská verze
Přístup k e-verzi
pouze v rámci univerzity.
Název akce
ISBN
Studijní obor
Materiálové inženýrství
Studijní program
Chemie a technologie materiálů
Signatura tištěné verze
D21977
D21977
D21977
Umístění tištěné verze
Univerzitní knihovna (sklad)
Přístup k tištěné verzi
Klíčová slova
Paměti založené na fázové změně, tenké vrstvy, mžikové vakuové napařování, Ag-Sb-Pb-Ge-Te, GeTe-AgSbTe2, AgSbGeTe3-AgSbPbTe3, van der Pauwova metoda, Phase-change memories, thin films, flash evaporation, Ag-Sb-Pb-Ge-Te, GeTe-AgSbTe2, AgSbGeTe3-AgSbPbTe3, van der Pauw method