Byly připraveny materiály o složení Ge20Se80 a Ge40Se60 dotované mědí a na nich studovány závislosti hustoty a teploty měknutí. Z nměření závislosti stejnosměrné elektrické vodivosti na teploty byly zjištěny příslušné hodnoty elektrických konstant. Byla studovány optická propustnost některých vzorků. U vzorků obsahujících více než 1 at.% Cu byla zjištěna a identifikována krystalická fáze, kterou tvoří Cu2GeSe3 v matrici Ge20Se80 a v matrici Ge40Se60 ji tvoří GeSe2, GeSe a CuSe. Byl podán výklad vestavění mědi do matrice.