Publikace: Chalkogenidy, materiály pro paměti se změnou fáze a vodivosti
Disertační práceopen accessNačítá se...
Datum
Autoři
Bartoš, Miroslav
Název časopisu
ISSN časopisu
Název svazku
Nakladatel
Univerzita Pardubice
Abstrakt
Práce se zabývá studiem materiálů potenciálně vhodných pro výrobu elektricky spínaných pamětí. Práce se zabývá dvěma systémy - Ge2Sb2,3Te4Se a Ge28-xGaxS72. Z materiálů byly připravené tenké vrstvy, ty byly charakterizovány a následně dále byly studovány jejich fyzikálně chemické vlastnosti - v případě Ge-Sb-Te-Se byla změřena teplotní závislost plošného elektrického odporu a získané zakrystalované vrstvy byly znovu charakterizovány a porovnány s vrstvami amorfními a v případě Ge-Ga-S bylo studováno chování stříbra během fotoindukovaného rozpouštění do připravených vrstev.
Popis
Klíčová slova
chalkogenidová skla, amorfní polovodiče, tenké vrstvy, paměti, iontové vodiče, optické vlastnosti, elektrické vlastnosti, chalcogenide glasses, amorphous semiconductors, thin films, memory, ion conductors, optical properties, electrical properties