Příprava chalkogenidových tenkých vrstev dopovaných ionty lanthanoidů metodou rotačního nanášení

Abstract

Předkládaná práce se zabývá přípravou tenkých vrstev As-S dopovaných ionty lanthanoidů (Ln) metodou rotačního nanášení. Byla připravena skla As30S70 a As15S85 a organolanthanoidové prekurzory Ln(NCN)3, kde Ln = Pr, Tb nebo Er. Tato skla i prekurzory byly rozpuštěny v propylaminu a výsledné roztoky použity k depozici tenkých vrstev rotačním nanášením. Deponované vrstvy byly stabilizovány temperací a byly studovány jejich vlastnosti různými charakterizačními technikami s důrazem na optické vlastnosti. Fotoluminiscenční emise z iontů Ln3+ byla pozorována pouze v případě vrstev dopovaných Er3+.