Chalkogenidová skla systému Ge-Sb-Te.

Střižík, Lukáš

Publikace:
Chalkogenidová skla systému Ge-Sb-Te.

Diplomová práceOmezený přístup

dc.contributor.advisor	Wágner, Tomáš	cze
dc.contributor.author	Střižík, Lukáš
dc.contributor.referee	Navrátil, Jiří	cze
dc.date.accepted	2010	cze
dc.date.accessioned	2010-06-17T21:03:29Z
dc.date.available	2010-06-17T21:03:29Z
dc.date.issued	2010
dc.description.abstract	Amorfní chalkogenidy systému Ge-Sb-Te mají mnoho potenciálních i reálných aplikací. Patří mezi ně i záznam dat pomocí reversibilní fázové změny mezi krystalickým a amorfním stavem. Přeměny krystalický-amorfní stav lze indukovat optickými nebo elektrickými pulsy, což je doprovázeno výraznou změnou optických (reflektivita) nebo elektrických (měrný odpor) vlastností. Předkládaná diplomová práce se zabývá přípravou amorfních chalkogenidových tenkých vrstev systému Ge-Sb-Te metodou magnetronového naprašování. U připravených vzorků byla zjišťována homogenita a složení elektronovou mikroanalýzou SEM-EDX, struktura rentgenovou difrakční analýzou XRD, optické vlastnosti UV-Vis-NIR spektroskopií a spektroskopickou elipsometrií s proměnným úhlem VASE a elektrické vlastnosti měřením plošného elektrického odporu čtyřbodovou sondou metodou podle van der Pauwa. Výsledky jsou konfrontovány s příslušnou literaturou.	cze
dc.description.abstract-translated	Amorphous chalcogenides of Ge-Sb-Te system have many potential and real applications. One of them are data storage applications based on phase change between crystalline and amorphous states (= phase-change memories). Phase changes can be induced by optic or electric pulses, the optical (reflectivity) and electrical (resistance) properties are changed. This thesis deals with preparation of amorphous thin films of Ge-Sb-Te system by magnetron sputtering. The homogeneity and composition of prepared samples was determinated by SEM-EDX microanalysis, the structure by XRD analysis, optical properties by UV-Vis-NIR spectroscopy and by variable angle spectroscopic ellipsometry VASE and the electrical properties by measuring the electrical sheet resistance method according to van der Pauw. Results are confronted by appropriate literary works.	eng
dc.description.department	Katedra obecné a anorganické chemie	cze
dc.description.grade	Dokončená práce s úspěšnou obhajobou	cze
dc.format	113 s.	cze
dc.format.extent	42054 bytes	cze
dc.format.mimetype	application/pdf	cze
dc.identifier	Univerzitní knihovna (sklad)	cze
dc.identifier.signature	D21975	cze
dc.identifier.signature	D21975
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10195/36209
dc.language.iso	cze
dc.publisher	Univerzita Pardubice	cze
dc.rights	pouze v rámci univerzity.	cze
dc.subject	Chalkogenidová skla	cze
dc.subject	Ge-Te	cze
dc.subject	Sb-Te	cze
dc.subject	Ge-Sb-Te	cze
dc.subject	GeTe-Sb2Te3	cze
dc.subject	tenké vrstvy	cze
dc.subject	magnetronové naprašování	cze
dc.subject	Paměti založené na fázové změně	cze
dc.subject	Chalcogenide glasses	eng
dc.subject	Ge-Te	eng
dc.subject	Sb-Te	eng
dc.subject	Ge-Sb-Te	eng
dc.subject	GeTe-Sb2Te3	eng
dc.subject	thin films	eng
dc.subject	magnetron sputtering	eng
dc.subject	Phase-change memories	eng
dc.thesis.degree-discipline	Materiálové inženýrství	cze
dc.thesis.degree-grantor	Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická	cze
dc.thesis.degree-name	Ing.	cze
dc.thesis.degree-program	Chemie a technologie materiálů	cze
dc.title	Chalkogenidová skla systému Ge-Sb-Te.	cze
dc.title.alternative	Chalcogenide Glasses of Ge-Sb-Te System.	eng
dc.type	diplomová práce	cze
dspace.entity.type	Publication