Publikace: Vyšetření vlivu Ta na stechiometrii a transportní vlastnosti Bi2Se3
Diplomová práceopen access| dc.contributor.advisor | Ruleová, Pavlína | |
| dc.contributor.author | Kopecká, Kateřina | |
| dc.contributor.referee | Plecháček, Tomáš | |
| dc.date.accepted | 2018-06-04 | |
| dc.date.accessioned | 2018-06-14T06:04:49Z | |
| dc.date.available | 2018-06-14T06:04:49Z | |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.date.submitted | 2018-05-09 | |
| dc.description.abstract | Byla připravena řada monokrystalických vzorků složení Bi2-xTaxSe3, kde x = 0; 0,005; 0,01; 0,02 a 0,03. Vzorky byly charakterizovány RTG difrakcí a měřením teplotních závislostí elektrické vodivosti, Hallova koeficientu RH a Seebeckova koeficientu v oblasti teplot 100 - 470 K. Z naměřených dat byl vypočten výkonový faktor PF = ... Bylo zjištěno, že příměs Ta-atomů v krystalové struktuře Bi2Se3 má za následek zvýšení koncentrace volných nositelů proudu - volných elektronů. Tento efekt je vysvětlen modelem bodových poruch v krystalové struktuře Bi2-xTaxSe3. | cze |
| dc.description.abstract-translated | Single crystalline Bi2-xTaxSe3 system, where x = 0; 0,005; 0,01; 0,02 and 0,03 was prepared. The samples were characterized by X-ray diffraction and electrical conductivity, Hall coefficient RH and Seebeck coefficient were measured over a temperature range of 100 - 470 K. Power factor PF = ... was calculated from measured data. Doping with tantalum atoms into structure Bi2Se3 led to increase in the concentration of free carriers - free electrons. This effect was explained by the model of point defects in the Bi2-xTaxSe3 crystal structure. | eng |
| dc.description.defence | Diplomantka seznámila komisi se svojí diplomovou prací. Dále reagovala na připomínky oponenta. Zodpověděla otázky členů komise: Diskutujte možnost použití Bridgmanovy metody pro přípravu monokrystalu. V jaké formě byl použit tantal při syntéze? Diskutujte změnu oxidačních stavů při syntéze. Vysvětlete Sebeckův jev/koeficient. | cze |
| dc.description.department | Fakulta chemicko-technologická | cze |
| dc.description.grade | Dokončená práce s úspěšnou obhajobou | cze |
| dc.identifier | Univerzitní knihovna (studovna) | cze |
| dc.identifier.signature | D37589 | |
| dc.identifier.stag | 35749 | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/10195/70839 | |
| dc.language.iso | cze | |
| dc.publisher | Univerzita Pardubice | cze |
| dc.rights | bez omezení | cze |
| dc.subject | monokrystal | cze |
| dc.subject | Bi2Se3 | cze |
| dc.subject | tantal | cze |
| dc.subject | transportní vlastnosti | cze |
| dc.subject | bodové poruchy | cze |
| dc.subject | Single-crystal | eng |
| dc.subject | Bi2Se3 | eng |
| dc.subject | tantalum | eng |
| dc.subject | transport properties | eng |
| dc.subject | point defects | eng |
| dc.thesis.degree-discipline | Materiálové inženýrství | cze |
| dc.thesis.degree-grantor | Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická | cze |
| dc.thesis.degree-name | Ing. | |
| dc.thesis.degree-program | Chemie a technologie materiálů | cze |
| dc.title | Vyšetření vlivu Ta na stechiometrii a transportní vlastnosti Bi2Se3 | cze |
| dc.title.alternative | Investigation of the effect of Ta doping on stoichiometry and transport properties of Bi2Se3 | eng |
| dc.type | diplomová práce | cze |
| dspace.entity.type | Publication |
Soubory
Původní svazek
1 - 3 z 3
Načítá se...
- Název:
- KopeckaK_VysetreniVlivu_PR_2018.pdf
- Velikost:
- 1.93 MB
- Formát:
- Adobe Portable Document Format
- Popis:
- Plný text práce
Načítá se...
- Název:
- RuleovaP_VysetreniVlivu_KK_2018.pdf
- Velikost:
- 646.49 KB
- Formát:
- Adobe Portable Document Format
- Popis:
- Posudek vedoucího práce
Načítá se...
- Název:
- Oponentni_posudek.pdf
- Velikost:
- 736.19 KB
- Formát:
- Adobe Portable Document Format
- Popis:
- Posudek oponenta práce