Příprava tenkých vrstev Cu a Ag-dopovaných chalkogenidů metodou pulsní laserové depozice

Netolický, Tomáš

Publikace:
Příprava tenkých vrstev Cu a Ag-dopovaných chalkogenidů metodou pulsní laserové depozice

Diplomová práceopen access

dc.contributor.advisor	Wágner, Tomáš
dc.contributor.author	Netolický, Tomáš
dc.contributor.referee	Navrátil, Jiří
dc.date.accepted	2019-06-03
dc.date.accessioned	2019-06-18T08:09:04Z
dc.date.available	2019-06-18T08:09:04Z
dc.date.issued	2019
dc.date.submitted	2019-04-26
dc.description.abstract	Práce se zabývá přípravou tenkých vrstev chalkogenidů o složení GeSe3, (GeSe3)95Ag5 a (GeSe3)95Cu5 z objemových vzorků příslušných složení. K přípravě tenkých vrstev chalkogenidů byla použita metoda pulsní laserové depozice (PLD). Dále jsou studovány strukturní, elektrické a optické vlastnosti připravených tenkých vrstev, společně s jejich chemickým složením. Zjištěné vlastnosti jsou dále srovnávány s objemovými vzorky, s literaturou a mezi tenkými vrstvami navzájem.	cze
dc.description.abstract-translated	This thesis is focused on preparation of thin films of chalcogenides of compositions GeSe3, (GeSe3)95Ag5 and (GeSe3)95Cu5 from bulk samples of appropriate compositions. Pulsed laser deposition (PLD) method was used for the preparation of the thin films of the chalcogenides. Also structural, electrical and optical properties of the prepared thin films are studied in this thesis, together with their chemical composition. The found properties of the thin films are also compared with the properties of the bulk samples, with literature and with the thin films each other.	eng
dc.description.defence	Diplomant seznámil komisi se svojí diplomovou prací. Dále reagoval na připomínky oponenta. Zodpověděl otázky členů komise: Proč bylo vybráno pro studium spínacích jevů chemické složení GeSe3? Diskutujte optickou šířku zakázaného pásu.	cze
dc.description.department	Fakulta chemicko-technologická	cze
dc.description.grade	Dokončená práce s úspěšnou obhajobou	cze
dc.identifier	Univerzitní knihovna (studovna)	cze
dc.identifier.signature	D39335
dc.identifier.stag	37952
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10195/73366
dc.language.iso	cze
dc.publisher	Univerzita Pardubice	cze
dc.rights	bez omezení	cze
dc.subject	tenké vrstvy	cze
dc.subject	amorfní chalkogenidy	cze
dc.subject	depozice	cze
dc.subject	vlastnosti	cze
dc.subject	thin films	eng
dc.subject	amorphous chalcogenides	eng
dc.subject	deposition	eng
dc.subject	properties	eng
dc.thesis.degree-discipline	Materiálové inženýrství	cze
dc.thesis.degree-grantor	Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická	cze
dc.thesis.degree-name	Ing.
dc.thesis.degree-program	Chemie a technologie materiálů	cze
dc.title	Příprava tenkých vrstev Cu a Ag-dopovaných chalkogenidů metodou pulsní laserové depozice	cze
dc.title.alternative	Preparation of Cu and Ag-doped thin chalcogenide films by pulsed laser deposition	eng
dc.type	diplomová práce	cze
dspace.entity.type	Publication