Rotačně nanášené Er3+ a Er3+/Yb3+ dopované tenké vrstvy GeS2 a (GeS2)80(Ga2S3)10(Sb2S3)10

Halík, Tomáš

Publikace:
Rotačně nanášené Er3+ a Er3+/Yb3+ dopované tenké vrstvy GeS2 a (GeS2)80(Ga2S3)10(Sb2S3)10

Diplomová práceOmezený přístup

dc.contributor.advisor	Střižík, Lukáš
dc.contributor.author	Halík, Tomáš
dc.date.accepted	2020-09-07
dc.date.accessioned	2020-09-16T14:34:23Z
dc.date.available	2020-09-16T14:34:23Z
dc.date.issued	2020
dc.date.submitted	2020-07-29
dc.description.abstract	Předmětem studia této diplomové práce je příprava tenkých vrstev amorfních chalkogenidů Ge S a Ga Ge Sb S dopovaných ionty Er3+ a Yb3+ metodou rotačního nanášení. Nejprve byla připravena objemová skla o chemickém složení GeS2 a (GeS2)80(Ga2S3)10(Sb2S3)10 metodou podchlazení taveniny. Jako prekurzory iontů vzácných zemin byly syntetizovány komplexní sloučeniny (NH4)[Er(EDTA)(H2O)3]?5 H2O a (NH4)[Yb(EDTA)(H2O)3]?5 H2O z vodného roztoku kyseliny ethylendiamintetraoctové (EDTA), amoniaku a dusičnanu příslušného lanthanoidu. Tenké chalkogenidové vrstvy dopované ionty lanthanoidů byly deponovány rotačním nanášením z roztoku chalkogenidových skel a lanthanoidových prekurzorů rozpuštěných ve vodném roztoku hydrazinu. Výsledné vrstvy byly temperovány při teplotě 150 °C a 350 °C a studovány různými charakterizačními technikami se zaměřením na jejich optické vlastnosti a chemické složení. Práce rozšiřuje dosavadní poznatky o přípravě chalkogenidových tenkých vrstev dopovaných ionty lanthanoidů z roztoku hydrazinu.	cze
dc.description.abstract-translated	The subject of the diploma thesis is preparation Er3+ and Yb3+ doped Ge S and Ga Ge Sb S amorphous chalcogenide thin films by spin coating technique. At first, bulk glasses of the GeS2 and (GeS2)80(Ga2S3)10(Sb2S3)10 chemical composition have been prepared by melt quenching method. As source precursors of lanthanide ions, complex compounds (NH4)[Er(EDTA)(H2O)3]?5 H2O a (NH4)[Yb(EDTA)(H2O)3]?5 H2O have been synthesized from an aqueous solution of the ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), ammonia and of corresponding lanthanide(III) nitrate. Lanthanide doped chalcogenide thin films were deposited by spin coating from a solution of chalcogenide glasses and lanthanide precursors dissolved with aqueous solution of hydrazine. Resulting films were annealed at temperature of 150 °C and 350 °C and studied via various characterization techniques with focus on their optical properties and chemical composition. Thesis expands the current knowledge on preparation of lanthanide doped chalcogenide thin films from hydrazine solution.	eng
dc.description.defence	Diplomant seznámil komisi se svojí diplomovou prací. Dále reagoval na připomínky oponenta. Zodpověděl otázky členů komise: Upřesněte tepelnou stabilizaci připravených vrstev. Byla provedena Ramanova spektroskopie u studovaných vrstev? Upřesněte rozpustnost připravených skel v hydrazinu. Bylo by vhodnější jiné rozpouštědlo? Porovnejte Vámi zjištěné indexy lomu s běžně používanými skly.	cze
dc.description.department	Fakulta chemicko-technologická	cze
dc.description.grade	Dokončená práce s úspěšnou obhajobou	cze
dc.format	73 s. (96 938 znaků)
dc.identifier.stag	40142
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10195/76653
dc.language.iso	cze
dc.publisher	Univerzita Pardubice	cze
dc.rights	Práce bude přístupná od 07.09.2023	cze
dc.subject	chalkogenidová skla	cze
dc.subject	tenké vrstvy	cze
dc.subject	rotační nanášení	cze
dc.subject	lanthanoidy	cze
dc.subject	Ga-Ge-Sb-S	cze
dc.subject	Ge-S	cze
dc.subject	hydrazin	cze
dc.subject	chalcogenide glasses	eng
dc.subject	thin films	eng
dc.subject	spin coating	eng
dc.subject	lanthanides	eng
dc.subject	Ga-Ge-Sb-S	eng
dc.subject	Ge-S	eng
dc.subject	hydrazine	eng
dc.thesis.degree-discipline	Materiálové inženýrství	cze
dc.thesis.degree-grantor	Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická	cze
dc.thesis.degree-name	Ing.
dc.thesis.degree-program	Chemie a technologie materiálů	cze
dc.title	Rotačně nanášené Er3+ a Er3+/Yb3+ dopované tenké vrstvy GeS2 a (GeS2)80(Ga2S3)10(Sb2S3)10	cze
dc.title.alternative	Spincoated Er3+-doped and Er3+/Yb3+-co-doped GeS2 and (GeS2)80(Ga2S3)10(Sb2S3)10 thin films	eng
dc.type	diplomová práce	cze
dspace.entity.type	Publication