Digitální knihovna UPCE přechází na novou verzi. Omluvte prosím případné komplikace. / The UPCE Digital Library is migrating to a new version. We apologize for any inconvenience.

Publikace:
Faktory ovlivňující spínání v CBRAM paměťových celách

Diplomová práceOmezený přístup
dc.contributor.advisorWágner, Tomášcze
dc.contributor.authorBulvová, Tereza
dc.contributor.refereeVlček, Milancze
dc.date.accepted2015cze
dc.date.accessioned2015-08-10T07:48:24Z
dc.date.available2015-08-10T07:48:24Z
dc.date.embargo2035-05-05cze
dc.date.issued2015
dc.description.abstractCharakterizace a příprava chalkogenidů a tenkých vrstev. Příprava CBRAM paměťových cel. Odporové spínání.cze
dc.description.abstract-translatedCharacterization and preparation of chalcogenides and thin films. Preparation of CBRAM memory cells. Resistive switching.eng
dc.description.defenceDiplomantka seznámila komisi se svojí diplomovou prací.Dále reagovala na připomínky oponenta. Zodpověděla otázky členů komise: Diskutujte vodivosti typu P, typ uváděných pamětí a rozpouatění filamentu. Proč je potřeba větaí napětí na spínání u hliníkových kontaktů? Diskutujte kvalitu cyklování zápisu a odzápisu. Proč se mění index lomu vrstvy se vzdáleností od substrátu? Proč byl použit arsenem nadstechiometrický chalkogenid? Diskutujte různý způsob použití stříbrných elektrod. Diskutujte vyredukované stříbro na povrchu. Upřesněte jak byly určeny tlouaťky vrstev.cze
dc.description.departmentKatedra obecné a anorganické chemiecze
dc.description.gradeDokončená práce s úspěšnou obhajoboucze
dc.format72 s.cze
dc.format.extent1526144 bytescze
dc.format.mimetypeapplication/pdfcze
dc.identifierUniverzitní knihovna (studovna)cze
dc.identifier.signatureD32940cze
dc.identifier.stag27125cze
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10195/60565
dc.language.isocze
dc.publisherUniverzita Pardubicecze
dc.rightsPráce není přístupnácze
dc.subjectCBRAMcze
dc.subjectPMCcze
dc.subjectmemoriescze
dc.subjectresistive switchingcze
dc.subjectchalcogenide glassescze
dc.subjectphotoinduced diffusioncze
dc.subjectpaměticze
dc.subjectodporové snímánícze
dc.subjectchalkogenidová sklacze
dc.subjectopticky indukovaná difuzecze
dc.thesis.degree-disciplineMateriálové inženýrstvícze
dc.thesis.degree-grantorUniverzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologickácze
dc.thesis.degree-nameIng.cze
dc.thesis.degree-programChemie a technologie materiálůcze
dc.titleFaktory ovlivňující spínání v CBRAM paměťových celáchcze
dc.title.alternativeFactors affecting switching in CBRAM memory cellseng
dc.typediplomová prácecze
dspace.entity.typePublication

Soubory

Původní svazek

Nyní se zobrazuje 1 - 3 z 3
Načítá se...
Náhled
Název:
BulvovaT_FaktoryOvlivnujici_TW_2015.pdf
Velikost:
1.46 MB
Formát:
Adobe Portable Document Format
Popis:
diplomová práce
Načítá se...
Náhled
Název:
WagnerT-FaktoryOvlivnujici_TB_2015.pdf
Velikost:
1004.13 KB
Formát:
Adobe Portable Document Format
Popis:
posudek vedoucího
Načítá se...
Náhled
Název:
Oponentni_posudek.pdf
Velikost:
1.13 MB
Formát:
Adobe Portable Document Format
Popis:
posudek oponenta