Digitální knihovna UPCE přechází na novou verzi. Omluvte prosím případné komplikace. / The UPCE Digital Library is migrating to a new version. We apologize for any inconvenience.

Publikace:
Příprava tenkých vrstev co-sputteringem ze systému GaTe-Sb2Te3

Diplomová práceopen access
Zobrazit minimální záznam
dc.contributor.advisorBouška, Marek
dc.contributor.authorKocourek, Vladimír
dc.date.accepted2019-06-05
dc.date.accessioned2019-06-18T07:10:45Z
dc.date.available2019-06-18T07:10:45Z
dc.date.issued2019
dc.date.submitted2019-05-10
dc.description.abstractTáto diplomová práca sa zameriava na prípravu tenkých vrstiev co-sputteringom zo systému GaTe-Sb2Te3. Pripravené vrstvy boli ďalej študované z hľadiska ich fyzikálno-chemických vlastností. Zhotovené tenké vrstvy boli študované z hľadiska ich zloženia a morfológie pomocou skenovacieho elektrónového mikroskopu s energiovo-disperzným röntgenovým analyzátorom. Na analýzu povrchu boli požité metódy ako je mikroskopia atomárnych síl (AFM), skenovacia elektrónová mikroskopia (SEM) a profilometria. Hrúbka vrstiev a optické parametre boli zistené pomocou elipsometrie. Pomocou UV-VIS-NIR spektroskopie bol sledovaný posun absorpčnej hrany v závislosti na zložení vrstiev. Röntgenová difrakčná analýza bola použitá pre potvrdenie neprítomnosti kryštalickej fáze v pripravených tenkých vrstvách Cieľom práce bolo potvrdiť predpoklad, že metóda co-sputtering je vhodná na prípravu tenkých vrstiev bez defektov. Tenké vrstvy systému Ga-Sb-Te by mohli potencionálne nájsť uplatnenie v pamätiach s fázovou zmenou alebo optických diskoch.slo
dc.description.abstract-translatedThis thesis focuses on the preparation of thin films from the GaTe-Sb2Te3 system fabricated by co-sputtering. Prepared layers were further studied for their physical and chemical properties. The prepared thin films were studied for their composition and morphology using a scanning electron microscope with an energy-dispersive X-ray analyzer. Methods such as atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM) and profilometry were used for surface analysis. Layer thickness and optical parameters were determined by ellipsometry. The UV-VIS-NIR spectroscopy was used for monitoring the shift of the absorption edge depending on the composition of the layers. X-ray diffraction analysis was used for confirmation of absence of the crystalline phase in the prepared thin layers The purpose of the work was to confirm the assumption that the co-sputtering method is suitable for the preparation of thin layers without defects. Ga-Sb-Te thin layers could potentially find application in phase change memories or optical discs. Key words co-sputtering, thin layers, chalcogenide glasses, Ga-Sb-Teeng
dc.description.defenceprof. Ing. petr Němec, Ph.D. - Odpovězte otázky oponenta. Proč si myslíte, že Sb2Te3 absorbuje při jakékoliv vlnové délce? prof. Ing. Michal Veselý, CSc. - Jak jste vypočítala šířku zakázaného pásma? Jak jste vypočítala směrodatnou odchylku RMS drsnosti? Ing. Jan Vališ, Ph.D. - Co je to BK9?cze
dc.description.departmentFakulta chemicko-technologickácze
dc.description.gradeDokončená práce s úspěšnou obhajoboucze
dc.format66 s.
dc.identifierUniverzitní knihovna (studovna)
dc.identifier.signatureD40218
dc.identifier.stag38036
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10195/73189
dc.language.isocze
dc.publisherUniverzita Pardubicecze
dc.rightsBez omezení
dc.subjectco-sputteringslo
dc.subjecttenké vrstvyslo
dc.subjectchalkogenidové skláslo
dc.subjectGa-Sb-Teslo
dc.subjectco-sputteringeng
dc.subjectthin layerseng
dc.subjectchalcogenide glasseseng
dc.subjectGa-Sb-Teeng
dc.thesis.degree-disciplinePolygrafiecze
dc.thesis.degree-grantorUniverzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologickácze
dc.thesis.degree-nameIng.
dc.thesis.degree-programPolygrafiecze
dc.titlePříprava tenkých vrstev co-sputteringem ze systému GaTe-Sb2Te3cze
dc.title.alternativeGaTe-Sb2Te3 co-sputtering deposition of thin filmsGaTe-Sb2Te3 co-sputtering deposition of thin filmseng
dc.typediplomová prácecze
dspace.entity.typePublication

Soubory

Původní svazek

Nyní se zobrazuje 1 - 1 z 1
Náhled
Název:
KocourekV_priprava_tenkych_MB_2019.pdf
Velikost:
2.57 MB
Formát:
Adobe Portable Document Format
Popis:
Plný text práce
Plný text práce (2.57 MB)

Kolekce

Diplomové práce / Theses KPF FCHT (Ing.)
Vysokoškolské kvalifikační práce / Theses, dissertations, etc.