Rotačně nanášené chalkogenidové tenké vrstvy As30S70 a Ge25S75 dopované ionty lanthanoidů

Binková, Dagmar

Publikace:
Rotačně nanášené chalkogenidové tenké vrstvy As30S70 a Ge25S75 dopované ionty lanthanoidů

Diplomová práceopen access

dc.contributor.advisor	Wágner, Tomáš
dc.contributor.author	Binková, Dagmar
dc.contributor.referee	Frumarová, Božena
dc.date.accepted	2019-06-03
dc.date.accessioned	2019-06-18T10:45:12Z
dc.date.available	2019-06-18T10:45:12Z
dc.date.issued	2019
dc.date.submitted	2019-05-10
dc.description.abstract	Předkládaná práce představuje novou možnost přípravy tenkých vrstev chalkogenidů dopovaných ionty lanthanoidů z roztoků organických aminů metodou rotačního nanášení. Pro danou studii byla připravena skla As30S70 a Ge25S75 metodou prudkého ochlazení taveniny a (NH4)LnEDTA∙x H2O komplexy, kde Ln = Er a Ho, jakožto prekurzory iontů Ln3+. Sklo s (NH4)LnEDTA∙x H2O komplexem bylo rozpuštěno v propylaminu a z roztoků byly deponovány tenké vrstvy metodou rotačního nanášení. Deponované vrstvy byly stabilizovány žíháním při teplotách 120 °C, 170 °C, 200 °C a 310 °C.	cze
dc.description.abstract-translated	Present work represents a novel path in preparation of lanthanide(Ln)-doped chalcogenide thin films by spin-coating using the amine-based solutions. For a given study, the As30S70 and Ge25S75 melt-quenched glasses and (NH4)LnEDTA∙x H2O complexes (Ln = Er, Ho) as single-source precursors of Ln3+ ions have been prepared. Glass and (NH4)LnEDTA∙x H2O complex were dissolved with propylamine and the resulting solution was used for deposition of thin films by spin-coating. Deposited thin films were cured by their annealing at 120 °C, 170 °C, 200 °C and 310 °C.	eng
dc.description.defence	Diplomantka seznámila komisi se svojí diplomovou prací. Dále reagovala na připomínky oponenta. Zodpověděla otázky členů komise: Čím jsou kompenzovány náboje kationtů vzácných zemin ve skle? Byla měřena teplota skelné transformace? Byla měřena Ramanova spekra u skel typu As-S, případně je Vám známa struktura těchto materiálů? Upřesněte stav/složení připravených materiálů. Co to jsou nízké fononové energie a proč jsou pro studovanou problematiku výhodné?	cze
dc.description.department	Fakulta chemicko-technologická	cze
dc.description.grade	Dokončená práce s úspěšnou obhajobou	cze
dc.format	70 s.
dc.identifier	Univerzitní knihovna (studovna)	cze
dc.identifier.signature	D39333
dc.identifier.stag	37848
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/10195/73798
dc.language.iso	cze
dc.publisher	Univerzita Pardubice	cze
dc.rights	bez omezení	cze
dc.subject	chalkogenidová skla	cze
dc.subject	tenké vrstvy	cze
dc.subject	As30S70	cze
dc.subject	Ge25S75	cze
dc.subject	lanthanoidy	cze
dc.subject	rotační nanášení	cze
dc.subject	chalcogenide glasses	eng
dc.subject	thin films	eng
dc.subject	As30S70	eng
dc.subject	Ge25S75	eng
dc.subject	lanthanides	eng
dc.subject	spin-coating	eng
dc.thesis.degree-discipline	Materiálové inženýrství	cze
dc.thesis.degree-grantor	Univerzita Pardubice. Fakulta chemicko-technologická	cze
dc.thesis.degree-name	Ing.
dc.thesis.degree-program	Chemie a technologie materiálů	cze
dc.title	Rotačně nanášené chalkogenidové tenké vrstvy As30S70 a Ge25S75 dopované ionty lanthanoidů	cze
dc.title.alternative	Spin-coated chalcogenide As30S70 a Ge25S75 films doped by rare-earth ions	eng
dc.type	diplomová práce	cze
dspace.entity.type	Publication