Přímý zápis laserem do skel systému PbO-Ga2O3

Abstract

V této bakalářské práci byla na sklech systému xPbO-(100-x)Ga2O3, kde x = 71, 75 a 80 mol. %, studována tvorba kráterů na povrchu pomocí zaostřeného laserového záření o vlnové délce 447 nm při maximální intenzitě 1200 W/cm2 a expoziční době 60 sekund. Kráter vzniká při zahřátí skla nad jeho teplotu tání (dosaženo vysokými intenzitami absorbovaného záření v místě expozice) a následném „zamrznutí“ kráteru po ukončení expozice. Vzniklé útvary byly charakterizovány pomocí digitálního holografického mikroskopu DHM (topografie kráterů), 3D digitálního mikroskopu Keyence (topografie kráterů pro hloubky > 10 μm) a optického mikroskopu (průměr kráterů). Při největších intenzitách okolo 1200 W/cm2 s průměrem paprsku 200 μm vznikají krátery o hloubce až 80 μm na nejhladším vzorku skla 75PbO-25Ga2O3 (parametr hrubosti RMS = 4,6 nm). Z dat naměřených na základě výše uvedených technik byla určena prahová intenzita pro vznik kráterů (Fthkráter) v závislosti na hrubosti připravených skel. Pomocí EDX analýzy bylo určeno chemické složení kráterů po expozici laserovým paprskem při nejvyšších intenzitách a zjištěno výrazné ochuzení středu kráteru o těkavější složku (Pb ve formě PbO), který se ukládal v oblasti „Heat Affected Zone“. Na závěr byl v této práci zjišťován vliv chemického složení