Foto-indukované změny multi-vrstev systému GeSe-AsS

Abstract

Diplomová práce je zaměřena zejména na fotoindukované změny ve dvojvrstvách vzniklých termálním napařením samotných tenkých vrstev systému Ge-Se a As-S na sebe. Velikost foto- i termo- indukovaných změn bylo moţné díky malému rozdílu v hodnotách indexu lomu jednotlivých vrstev vyhodnotit z UV-Vis spekter pomocí Taucova modelu. V případě dvojvrstvy (As2S3)x(Ge30Se70)1-x byly změny optické šířky zakázaného pásu (.Egopt) vyvolané ozářením/temperací výrazně vyšší v porovnání se součtem změn vyvolaných v jednotlivých vrstvách za stejných experimentálních podmínek. Výrazně vyšší změny (.Egopt) ve dvojvrstvě jsou přičítány faktu, ţe během expozice dochází k reakci v pevné fázi a termodynamické preferenci tvorby Ge-S vazeb v systému, kde nárůst nově vzniklých vazeb Ge-S a As-Se po ozáření/temperaci byl potvrzen IČ spektroskopií (infračervenou spektroskopií) a DSC analýzou (diferenciální skenovací kalorimetrií).