Příprava a studium termoelektrických vlastností chalkopyritu dopovaného prvky 15.skupiny

Abstract

Polykrystalické vzorky chalkopyritu dopované fosforem a antimonem se složením CuFeS2 - xPx (pro x = 0 až 0,05) a CuFeS2-xSbx (pro x = 0 až 0,08) byly syntetizovány v odporové peci z elementárních prvků o čistotě 5N při graduálním zvýšení teploty na 900 K. Vzniklý ingot byl rozemlet na vzduchu. Fázová čistota syntetizovaných vzorků byla ověřena rentgenovou difrakční analýzou. Pro měření transportních vlastnosti byly připraveny vzorky ve tvaru tablety pomocí lisování za horka (hot pressing). Za účelem porovnání účinnosti dopování byly změřeny a dopočítány teplotní závislosti transportních vlastností, jmenovitě elektrické vodivosti, Hallova koeficientu, Seebeckova koeficientu a tepelné vodivosti. v závěru práce je diskutován vliv substituce v anionové podmřížce na zvýšení ZT.