Transportní a termoelektrické vlastnosti selenidu cínatého s příměsí selenidů 4. skupiny

Abstract

Během této práce byly připraveny 2 řady polykrystalických vzorků SnSe. První řada byla dopována TiSe2 o nominálním složení (SnSe)1−x(TiSe2)x, kde x = 0 – 0,1. Druhá řada vzorků byla dopována ZrSe2 o nominálním složení (SnSe2)1−x(ZrSe2)x kde x = 0 – 0,05. Tyto vzorky byly připraveny tavením v odporové peci v evakuovaných křemenných ampulích. Vzniklé ingoty po ochlazení byly nadrceny na jemný prášek a následně stlačeny za tepla do tablet. Malé množství prášku jednotlivých ingotů bylo poskytnuto k analýze pomocí práškové rentgenové difrakce (PXRD). Vzniklé tablety byly použity k naměření transportních, termoelektrických (TE) vlastností, Hallova jevu a měření na skenovacím elektronovém mikroskopu (SEM). Dopování TiSe2 se ukázalo jako účinné, kde u vzorku s x = 0,07 bylo zjištěno pro teplotu 675 K dvojnásobné navýšení parametru ZT. ZT (x = 0,07) ≈ 0,48 oproti hodnotě ZT ≈ 0,23 pro nedopovaný vzorek. Toto výrazné zlepšení bylo způsobeno optimalizací výkonového faktoru řádovým zvýšením koncentrace volných nositelů proudu a zároveň zachováním dostatečně nízké celkové tepelné vodivosti.